一种无校正集灰色体系光谱定量分析方法

在前人关于"分子光谱谱线近似满足高斯线型"的理论基础之上,根据混合物光谱与待测组分纯光谱,通过对光谱取对数、一阶导数,运用迭代逼近算法,提出了一种无校正集的灰色体系光谱定量分析方法。把残余光谱的对数——一阶导数曲线中直线范围之和最大作为混合物光谱中已知纯光谱成分完全剔除的标准,以此判断混合光谱中纯光谱的含量,该含量即为混合物中待测化合物的含量。对于该过程中的求导运算,以抑制导数运算对噪音的放大,提出并应用了一种新的近似导数方法,即用信号与正交多项式的卷积替代常规导数运算,效果良好。该定量分析方法具有无校正集、过程参数固定、无人为因素影响等优点。     

GIDL current degradation in LDD nMOSFET under hot hole stress

The degradation of gate-induced drain leakage（GIDL） current in LDD nMOSFET under hot holes stress is studied in depth based on its parameter I_DIFF.I_DIFF is the difference of GIDL currents measured under two conditions of drain voltage V_D=1.4 V and gate voltage V_G=-1.4 V while V_DG is fixed.After the stress GIDL currents decay due to holes trapping in the oxide around the gate-to-drain overlap region.These trapped holes diminishΔE_X which is the deference of the lateral electrical field of these two symmetrical measurement conditions in the overlap region so as to make I_DIFF lessening.I_DIFF extracted from GIDL currents decreases with increasing stress time t.The degradation shifts of I_DIFF,MAX(ΔI_DIFF,MAX) follows a power law against t:ΔI_DIFF,MAX∝t^m, m= 0.3.Hot electron stress is performed to validate the related mechanism.     

巧解死结,接通跨MSC(POOL)位置更新的呼叫

手机从一个非POOL的MSC(或MSC POOL)的位置区移动到另一个非POOL的MSC(或MSC POOL)的位置区,进行位置更新过程中,无法收到寻呼消息,呼叫不能接通.现有呼叫流程和策略没有解决方案,在这种情况下,呼叫无法接通,就像一个死结,无法解开.根据路测数据统计,这类呼叫未接通在GSM网中占比在40％以上,在TD网占比超过60％.针对这类呼叫未接通情况进行研究,通过改进呼叫流程,巧妙解开死结,解决跨MSC(POOL)位置更新的呼叫未接通问题,改善了客户感知度,提高了网络接通率.     

SOI材料片缺陷研究

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。     

镍铁氧体/碳纳米管复合材料的制备及其对染料废水的吸附性能

用浸渍法制备了镍铁氧体/碳纳米管(NF/MWNTs)复合材料。用XRD、SEM、TEM、VSM、UV-Vis等表征了样品的组成、结构、形貌、磁性能和吸附性能。结果表明,制备的NF/MWNTs复合材料保留了碳纳米管优良的吸附性能,且具有良好的镍铁氧体负载率和优异的磁性能。质量比(mNF/mMWNTs)为1的NF/MWNTs复合材料对亚甲基蓝溶液的最大吸附容量为18.87 mg·g-1,其吸附行为符合Langmuir和Freundlich模型。NF/MWNTs复合材料对亚甲基蓝溶液的脱色率与溶液温度和pH值呈正相关性。此外,NF/MWNTs复合材料回收容易,活化处理简便,可重复使用。     

一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法

在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVD SiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40 nm左右基本可以阻挡95%的N+S/D As注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。     

镍铁氧体/碳纳米管复合材料的制备及其对染料废水的吸附性能

用浸渍法制备了镍铁氧体/碳纳米管(NF/MWNTs)复合材料。用XRD、SEM、TEM、VSM、UV-Vis等表征了样品的组成、结构、形貌、磁性能和吸附性能。结果表明,制备的NF/MWNTs复合材料保留了碳纳米管优良的吸附性能,且具有良好的镍铁氧体负载率和优异的磁性能。质量比(mNF/mMWNTs)为1的NF/MWNTs复合物对亚甲基蓝溶液的最大吸附容量为18.87mg·g^-1,其吸附行为符合Langmuir和Freundlich模型。NF/MWNTs复合材料对亚甲基蓝溶液的脱色率与溶液温度和pH值呈正相关性。此外,NF/MWNTs复合材料回收容易,活化处理简便,可重复使用。     

间甲苯胺-苯胺共聚物／Ba0．8La0．2Fe10Al2O19复合物的制备及电磁性能

通过化学原位聚合法合成了间甲苯胺／Ba0．8La0.2Fe10Al2O19（PMT／BLFA）和间甲苯胺-苯胺共聚物／Ba0．8La0.2Fe10-Al2O19复合物（PMT—CO．PANI／BLFA）．用TG—DTA,XRD,FT—IR,UV—Vis,TEM和SEM表征了产物的结构和微观形貌,用振动样品磁强计和阻抗材...     

nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究

研究了基于90 nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响.衬底电流IB在0 V＜VG＜1 V时变化比较明显,IB随VB正偏压的增加而增大,随VB负偏压的增加而减小.这是因为在这一区间内对IB起主导作用的漏电流ID主要为亚阈值电流,而VB对与亚阈值电流紧密相关的阈值电压VTH会产生较大影响.进一步研究发现,衬底电流峰值IBMAX与VB在半对数坐标下呈线性关系.实验结果验证了VB对IB的这一影响机制在不同VD下的普适性.给出了相关的物理机制.     

采用DOE方法优化非晶硅溅射工艺

文中通过使用DOE实验设计方法对磁控溅射设备a-Si靶工艺特性进行能力研究,给出了该设备工艺随功率、压力、温度的设定条件下a-Si介质生长速率与均匀性的变化关系。结果表明,功率和压力是主要决定速率和均匀性的关键因素,基片温度从室温到300℃,a-Si淀积速率基本不变。降低工艺压力对改善均匀性最为明显;工艺温度和功率的降低虽也可以起到改善均匀性的作用,但效果不明显,且三者的变动同时会导致速率的变化,为今后的生产、开发应用提供了参考意见。