预氧化熔融制样-X射线荧光光谱法测定硼铁合金中硼、硅、铝和磷

硼铁合金样品经过预氧化熔融,制得样品的玻璃熔片,采用X射线荧光光谱法测定玻璃熔片中硼、硅、铝和磷等4种元素的含量。优化的试验条件如下:(1)熔剂为焦硫酸钾;(2)熔剂与样品的稀释比为40∶1;(3)氧化剂为碳酸锂和硝酸钠;(4)玻璃熔片的熔融时间为20min。4种元素的质量分数在一定范围内与其对应的荧光强度呈线性关系,测定下限为0.006 8%～0.017 9%。对硼铁标准样品平行测定10次,测定值的相对标准偏差为0.22%～3.9%。方法应用于硼铁合金样品的分析,测定结果与湿法分析的结果相符。     

基于分子对接的苯丙素甙（PPGs）类化合物的虚拟筛选和合理设计

采用虚拟化合物生成法对抗肿瘤的苯丙素甙(PPGs)类化合物进行了配体受体对 接研究。以三种不同的骨架结构为基础分别生成了五十个虚拟苯丙素甙(PPGs)类化 合物，并将它们与端粒DNA受体进行分子对接，分析已知结构的对接结果，通过虚 拟筛选的方法得到了一批与受体相互作用能较高并且复合物能量较低的新的有潜力 的活性化合物。该方法可以弥补分子对接研究中，只能计算药物与受体的相互作用 ，无法有效设计新化合物的不足。这种方法在基于结构的药物分子设计中具有重要 的意义。     

New aspects of HCI test for ultra-short channel n-MOSFET devices

Hot carriers injection (HCI) tests for ultra-short channel n-MOSFET devices were studied. The experimental data of short channel devices (75--90\,nm), which does not fit formal degradation power law well, will bring severe error in lifetime prediction. This phenomenon usually happens under high drain voltage ($V_{\rm d}$) stress condition. A new model was presented to fit the degradation curve better. It was observed that the peak of the substrate current under low drain voltage stress cannot be found in ultra-short channel device. Devices with different channel lengths were studied under different $V_{\rm d}$ stresses in order to understand the relations between peak of substrate current ($I_{\rm sub}$) and channel length/stress voltage.     

化学结构中互变键、交替键和芳香键的自动识别

化学结构计算机处理中最常遇到的困难是互变现象、交替键和芳香键的处理, 尽管解决这些问题的方法早有报道,但它们都有仅考虑计算机处理的方便,而很少 注意其化学应用的不足。本工作在环系识别算法的基础上,设计了新的识别算法, 使得识别的整体性能更好,形成了拥有自主知识产权的软件。简要介绍了这些算法 ,并通过例子说明了它们的可能应用。     

DEA(TCNQ)2与TEA(TCNQ)2单晶上的STM热化学烧孔性能比较

利用STM隧道电流焦耳热诱导分解气化的热化学烧孔方法,对两种存储材料DEA(TCNQ)2和TEA(TCNQ)2的存储性能作了比较,DEA(TCNQ)2可以得到更高的存储密度、更大的信息孔深/孔径比,有更大的写入阈值电压.由此说明通过对存储材料的设计可以对存储系统的性能进行优化.     

STM热化学烧孔方式的信息存储——写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响

以扫描探针显微技术（SPM）为基础的超高密度信息存储是近年的研究的热点。前文^[1]利用STM针尖在TEA（TCNQ）2单晶上施加电压脉冲,得到了超高密度信息孔点阵,提出了热化学烧孔方式的STM信息存储技术,在STM扫描成像的过程中,隧道电流会流经样品,产生焦尔热。但通常扫描成像过程中的隧穿电流较小,焦耳热也较小,如能找到一种二元复合材料,一级分沸点较低,且与另一组分的结合能较弱,当足够大的电流流经时,所产生的焦耳热可能使低沸点的组分气化逸出,在样品表面形成纳米尺度的信息点。我们称这种存储模式为热化学烧孔方式的STM存储。基于这一思想,我们选择电荷转移复合物TEA（TCNQ）2作为存储材料,用STM写下了纳米微级的信息孔。本文通过改变写入电压脉冲的脉幅和脉宽,控制孔的大小,并对孔大小与脉冲电压的关系进行了理论推导和分析。     

用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级信息存储

以扫描探针显微镜(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年来信息存储领域的热点研究之一.其基本原理是利用SPM针尖诱导存储介质表面形貌变化、导电性质改变、电荷分离等来记录信息.提出利用STM隧道电流的焦耳热效应诱导材料发生气化分解的热化学烧孔模式的STM存储新原理,并在电荷转移复合物TEA(TCNQ)₂上成功地得到大面积信息孔阵列.空洞大小均一,最小直径约8 nm.该存储模式有明显的优点:由于STM隧道电流波及范围很小,只要存储材料的导热性不是很好,则气化分解局限于非常小的范围,从原理上保证了存储的超高密度;写入可靠率非常高,达到99%以上;存储材料具有可设计性,易于优化材料的存储性能.     

90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性

研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(gate-induced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.     

90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性

研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(gate-induced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.