热空穴应力下LDD nMOSFET中GIDL电流退化特性研究*

本文通过GIDL电流参数IDIFF对空穴应力下LDD nMOSFET中的GIDL电流退化进行了深入研究。IDIFF是在相同VDG下漏电压VD=1.4V和栅电压VG=-1.4V两种情形下的GIDL电流之差。空穴陷落在栅漏交叠区的氧化层中导致GIDL电流退化。这些陷落的空穴减小了上述两种对称的测试情形下的横向电场差ΔEX从而使得IDIFF表小。从GIDL电流中提取的IDIFF随着应力时间t的增加而减小。IDIFF的退化量ΔIDIFF,MAX与应力时间成幂指数关系：ΔIDIFF,MAX∝tm, m=0.3. 并用热电子应力实验验证了HHS实验中的相关物理机理。     

电力工程安全监理的风险识别与防范

近些年,我国电力行业发展迅速,其工程建设规模也在不断扩大。其中,电力建设工程的安全监理工作是电力工程建设工作的命脉所在,只有抓好安全工作,有效识别安全监理风险,并对其进行防范,才能确保电力建设工程的顺利推进。本文即针对电力工程安全监理的风险识别与防范进行了具体分析。     

利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构

基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在掺杂ｎ型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约１５ｎｍ,并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备的纳米结构的一些规律。     

光流场模型用于非刚性医学图像配准

采用一种窗口化的光流配准方法,实现了非刚性医学图像的配准.该方法通过调整窗口函数大小来控制对图像造成的模糊程度,同时采用图像的塔式分解,解决了Horn光流场不能处理大位移的问题.实验结果表明,文中方法可以满足医学图像对于配准精度要求,具有较高的运行效率.     

聚吡咯/碳纳米管复合物的制备及电性能研究

用原位聚合法制备了聚吡咯／碳纳米管（ PPy／MWNTs）复合物．采用XRD、TGA、FT－IR、SEM、四探针测试仪和网络分析仪表征了PPy／MWNTs复合物的组成、结构、形貌和电性能．研究了不同制备条件,如质子酸及其浓度、MWNTs的质量分数（ωMWNTs ）、引发剂和单体的物质的量比（ nAPS／nPy ）和反应时间对PPy／MWNTs复合物电性能的影响．结果表明,当磷酸浓度为0．1 mol／L、nAPS／nPy为1：1、ωMWNTs等于45 wt％、反应时间12 h时,制备的PPy／MWNTs复合物的导电性和介电损耗性能最好．     

论TD网络码资源利用率提升实践

目前TD-SCDMA网络码资源利用率相比与GSM网络的无线利用率仍有很大的差距。如何在保证网络质量和用户感知的基础上,实现双网的均衡发展,是目前面临的一个急需解决的问题。在充分利用现网资源的基础上和保持KPI指标原有水平的情况下,从锁G网用户迁移、优化2G/3G网络参数、加强TD网络深度覆盖等方面,探讨了分流G网络的业务流量,减轻G网业务压力,提升TD网码资源利用率的有效手段,达到合理利用现有无线网络资源、提高TD-SCDMA网络竞争力的目的。     

一种新的De Novo生物活性分子设计方法

由药效团进行虚拟活性结构生成与3D-QSAR模型相结合,筛选出有前途的结构多样性的化合物,并从中寻找活性先导化合物,是一种新的分子设计方法。采用这种方法对抗小麦赤霉病类含氟农药进行了研究,共生成了53个虚拟活性结构,通过3D-QSAR模型筛选出其中10个活性较高的结构,在活性最高的化合物基础上进行了结构修饰,得到了活性更高且毒性较低的理想化合物。研究结果表明这种方法能突破原模型化合物结构模式的局限,可以找到结构新颖的活性先导化合物,是一种非常有前途的分子设计方法,而且具有较高的筛选效率。     

一种三维刚体行动参数鲁棒估计的神经算法

该文提出一种在于特征点匹配的刚体运动参数估计方法,在运动估计线性算法的基础上,文中利用全最小二乘（ＴＬＳ）方法来进行求解,并建立次分量提取神经元来获得该全最小二乘解,基于测量数据中出格点（Ｏｕｔｌｉｅｒ）的存在,我们在神经元的权值学习规划中引入鲁棒估计思想。实验结果表明,该方法能有效地克服同格点产生的误差,准确在估计出刚体的三维运动参数,比较令人满意。     

Study on the recovery of NBTI of ultra-deep sub-micro MOSFETs

Taking the actual operating condition of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit into account, conventional direct current (DC) stress study on negative bias temperature instability (NBTI) neglects the detrapping of oxide positive charges and the recovery of interface states under the `low' state of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) inverter operation. In this paper we have studied the degradation and recovery of NBTI under alternating stress, and presented a possible recovery mechanism. The three stages of recovery mechanism under positive bias are fast recovery, slow recovery and recovery saturation.     

pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。