排序方式: 共有50条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
33.
34.
SiO2对SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响 总被引:6,自引:3,他引:3
对SiO2掺杂的SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量,实验表明x(SiO2)=0.3%掺杂的SnO.CoO.Nb2O5压敏电阻的非线性系数a高达30,并且具有最高的击穿电场(375V/mm)。采用Gupta-Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随SiO2的添加而变大的现象进行了理论解释。 相似文献
35.
用溶胶-凝胶工艺成功制备出Bi05Na05TiO3纳米微粉,并利用此微粉烧结出高致密度的Bi05Na05TiO3陶瓷.这种新工艺制备的Bi05Na05TiO3陶瓷,其压电性能远远高于普通方法制备的陶瓷,其中压电常数d33和机电耦合系数kt分别高达102×10-12C/N和58%.同时发现,对于这种Bi05Na05TiO3陶瓷,室温时只需施加100kV/cm左右的交变电场,就可得到矩形度极好的饱和回线,得到的剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为32μC/cm2和61kV/cm.而在100℃以上只需施加35kV/cm的极化电场就可使样品充分极化. 相似文献
36.
Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。 相似文献
37.
(Li,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究 总被引:7,自引:3,他引:4
研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型. 相似文献
38.
39.
研究并分析了 Ni3+ 掺杂和 Co2 + 掺杂对 Sn O2 压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Mn2 +对 Sn O2 · Ni2 O3· Nb2 O5压敏材料性能的影响。发现 x(Mn CO3)为 0 .10 %时 ,压敏电阻具有最高的视在电场(EB=6 86 .89V/ m m)和最好的电学非线性性能 (α=12 .9)。样品的收缩率和致密度变化趋势不一致 ,这是因为样品的致密度是由收缩率和 Mn CO3的挥发量两因素共同决定的 相似文献
40.
采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1–y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1–x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218pC/N。研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214pC/N,kt为0.44,k33为0.52。 相似文献