2-甲基-2-丁烯乳液氯化反应的研究

研究了温度、时间、紫外光照射等对天然胶乳小分子模型物(2-甲基-2-丁烯乳液)氯化反应的影响,结果表明,在有紫外光照的条件下的氯化反应速率要快于无紫外光照的;温度对氯化反应有着一定影响,在50℃以下,随温度升高产物的氯含量越高,在50℃以上,对产物的氯含量的影响不大;当温度50℃,时间达到7个小时的产物的氯含量能达到6...     

用于低噪声CMOS图像传感器的流水线ADC设计及其成像验证

在对低噪声CMOS图像传感器的研究中,除需关注其噪声外,目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向,设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit,10 Msps的流水线型ADC,并基于0.5μm标准CMOS工艺进行了流片。最后,通过在PCB测试版上用本文设计的ADC实现了模拟输出的低噪声CMOS图像传感器的模数转换,并基于自主开发的成像测试系统进行了成像验证,结果表明,成像画面清晰,该ADC可作为低噪声CMOS图像传感器的芯片级模数转换器应用。     

硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究

为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600nm~800nm)基本不衰减。另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著。结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。     

“Ω”形轴向槽道热管的启动特性

建立了“Ω”形轴向槽道热管瞬态传热的理论模型并进行了数值求解,研究了该型热管的启动特性。研究结果表明,热管蒸发段、绝热段以及冷凝段的壁面温度在启动过程中能够实现协调一致的动态响应。热管启动后,蒸发段前端毛细半径首先急剧减小,热管壁温近似线性急剧增加,随时间的推进,两者变化速度皆逐渐减缓直至稳定状态。并且,热负荷大小对热...     

亚硝酸盐和硝酸盐检测方法的研究进展

亚硝酸盐和硝酸盐与人类的生产生活及个体的健康息息相关,人类的生产活动更使得亚硝酸盐和硝酸盐普遍存在于自然环境中,因此对它们进行有效检测显得十分重要。近十几年来,各种先进的检测技术应用于亚硝酸盐和硝酸盐的检测中,发展出了形式多样的检测方法。对各种不同检测方法的分析并对其优点和缺点进行了总结,以便于在实际工作中根据不同的需要选择合适的检测方法,也为今后探索更为有效的检测方法提供实际的指导。     

未饱和土壤中多相多组分热质迁移过程的动态模拟研究

本文研究了未饱和土壤中热、湿与盐分的复合迁移过程的机理和动态特性．建立了描述多相多组分热质迁移过程的动态模型和相应的微分方程组并进行了数值模拟，获得了土壤中温度分布、盐分分布和湿分分布的动态分布特性．模拟结果和实测值相比较，表明本文建立的模型是合理可信的．     

关注GJB9001A-2001质量管理体系要求的"十"个数字

本文通过从“一”到“十”十个数字，介绍了一种快速掌握GJB9001A-2001重点内容的方法。     

32×32元InSbCID焦平面列阵的研制及其热成象实验

３２×３２元ＩｎＳｂＣＩＤ焦平面列阵的研制及其热成象实验王新德，张月琴，陈永平等（上海技术物理所上海２０００８３）３２×３２元ＩｎＳｂＣＩＤ的每个探测单元由相互耦合的行ＭＩＳ电容和列ＭＩＳ电容组成。通过两个３２位的硅移位寄存器用Ｘ－Ｙ寻址的方式，对列...     

"Ω"形微槽热管传热性能的实验研究

本文对一定型"Ω"形轴向槽道热管传热性能进行了实验研究,着重分析了该型热管在水平工况下的轴向温度分布、当量导热系数和总热阻、蒸发/凝结传热系数和最大传热能力.研究表明,该型热管元件具有良好的等温特性和导热性能,可实现高热流、长距离、低温差的热量传输;热管的最大传热能力受其工作温度影响较大,在工作温度较低时具有良好的传热能力,但在高温工况下,传热能力受到削弱.     

CMOS探测器自适应信号读出技术研究

设计了一种根据光照强度自动调节增益的CMOS探测器,它能够在一帧时间内实现光照强度与积分增益自动适应,从而实现无论在弱光还是强光条件下CMOS探测器都能有适应的灵敏度和动态范围。相较于传统CTIA电路,自适应信号读出技术新增了比较器电路来控制CTIA积分电容大小,通过短曝光输出电压与参考阈值进行比较,输出信号结果用来调整长曝光积分增益,最终得到每个像素的输出电压和增益挡位。基于0.5μm 5 V-CMOS工艺进行了128×1线阵CMOS探测器设计仿真与流片,仿真结果表明,光电流在2 pA～100 nA六个数量级内分别自适应四个积分增益,都能有良好的信号读出。