磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的研究

用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（TMR)效应的Ni₈₀Fe₂₀/Al₂O₃/Co磁性隧道结.光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Al₂O₃绝缘层.样品的TMR比值在室温下最高可达6.0％,反转场可低于800A/m,相应的平台宽度约为2400A/m.结电阻R_j的变化范围从百欧到几百千欧,并且TMR比值随零磁场结偏压增大单调减小. 关键词：     

一种基于模板的RSA-CRT模约减攻击方法

目前针对RSA-CRT的建模类攻击研究较少,本文以模约减操作为研究对象,提出了一种针对RSA-CRT实现的模板攻击方法 .该方法的核心是解决了如何由模约减后中间值的汉明重量恢复RSA-CRT私钥的难题.该方法的特点是基于模约减后中间值的汉明重量模型建模,通过采集选择密文模约减的能量迹进行模板匹配获取模约减后中间值的汉明重量,由汉明重量变化值恢复中间值,进一步恢复RSA-CRT算法的私钥.另外,该方法的优点在于理想情况下,基于中间值汉明重量模型建立的模板之间可以共用,且对中间值以多少位大小建模没有限制,可以选择字节大小,64位大小,甚至私钥p相同大小,实际环境中可根据泄露信息情况进行选取.最后,本文选择对中间值的最低字节进行建模,验证了该方法的可行性,并给出了防护建议.     

ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究

针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。     

利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷

本文分析了硅ＣＶＤ外延生长中金属杂质沾污、吸附－解吸机理模型和微缺分布规律，提出了用反向补偿原理优化外延工艺，有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。     

InSb抛光片表面粗糙度分析

研究了影响InSb抛光片表面的粗糙度的因素,通过实验数据及理论分析,用化学机械抛光的方法有效的降低了InSb抛光片表面的粗糙度。     

蓝宝石衬底表面的高精密加工工艺

为了获得优化的CMP参数变化,对实验进行了设计,并采用CMP方法在C6382I-W/YJ单面抛光机上对蓝宝石衬底表面进行了加工.根据蓝宝石衬底特性,选择了碱性抛光液,并选用SiO2胶体作为磨料.依据高去除的目的,对如底盘转速、抛光液流量、温度及压力等不同工艺参数进行了研究.根据实验结果,确定了蓝宝石衬底表面的CMP最佳工艺参数.     

网络攻击和网络攻击事件判定研究

由于网络攻击技术的复杂性和攻击事件的紧耦合性,目前对网络攻击测评难以定量。对网络攻击、网络攻击事件的判定和计数规则进行研究,提出网络攻击、网络攻击事件分类判定和计数的原则,给出了其应用场景的具体建议。为网络攻击和网络攻击事件组织进行网络攻击和网络攻击事件判定提供技术支撑和标准建议,支撑网络攻击态势的共享和准确感知。     

UL S I 多层布线中SiO2 介质CM P 技术

对甚大规模集成电路（ULSI）多层布线中二氧化硅介质的抛光机理,工艺条件选择,抛光液成分与作用等进行了综合分析,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述,对现存的一些难题提出了改进方案。     

螯合剂与氧化剂协同比对化学机械平坦化的影响

主要研究了不含BTA(苯并三唑)等抑制剂，以化学作用为主的碱性抛光液中，氧化剂与螯合剂协同比对平坦化的影响。抛光液主要包括螯合剂、非离子型表面活性剂、磨料和氧化剂。研究了氧化剂与螯合剂不同协同比，对抛光速率和静态腐蚀速率的影响规律，进一步研究了协同比对平坦化的影响。平坦化结果显示，固定螯合剂含量，随着氧化剂含量的增加，蝶形坑先减小后增大。当氧化剂含量为螯合剂含量三倍的时（即协同比为3），蝶形坑增加最小。基于化学机械协同作用的动力学控制过程，提出了一个理论模型。根据理论模型，分析了氧化剂与螯合剂协同比对高低速率差的影响，并对平坦化结果进行了分析解释。实验结果显示，当氧化剂与螯合剂协同比在区间2.5-3.5之间时，高低速率差较大，在此区间可以实现好的平坦化效果。本文为以后分析和研究碱性精抛液，解决低凹处铜线条腐蚀问题提供了新思路。