ULSI铝布线化学机械抛光研究

在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低选择比的作用。最后,对所选pH值调节剂和表面活性剂对铝化学机械抛光的影响进行了实验研究。结果表明:pH值在11.0时,去除速率最快,约为390nm/min;表面活性剂的加入对去除速率影响不大,但可以明显改善表面状态,表面粗糙度降至nm级。     

一种有效去除CMP后表面吸附杂质的新方法

CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型.利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附.实验表明,特选的非离子界面活性剂能够有效去除CMP后表面吸附的杂质,达到较好的清洗效果.     

计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究

随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量.     

2-乙基己基辛基硫醚树脂固相萃取钯的研究

合成和鉴定了新萃取剂2-乙基己基辛基硫醚(EHOS),研究了EHOS树脂萃取钯的性能。实验表明,在0.1 mol·L^-1盐酸介质中,EHOS树脂萃Pd(Ⅱ)的萃取率＞99%,研究了EHOS树脂萃取钯的机理,结果表明,EHOS树脂通过EHOS分子上的硫原子与钯(Ⅱ)配位,形成2∶1配合物。硫脲是有效反萃剂,从萃合物的晶体结构看出,硫脲通过S原子与Pd(Ⅱ)配位,萃合物以Pd原子为中心构成平面正方型结构。选择了汽车催化剂浸出液进行固相萃取分离试验,钯回收率＞97%。     

硅片双面研磨加工技术研究

介绍了硅片双面研磨的目的,重点分析了不同工艺参数对硅片研磨速率及表面质量的影响。通过不同粒径磨料的对比试验,得出减小磨料粒径能够有效改善硅片表面质量,减小损伤层深度,为后道抛光工序去除量的减少提供了条件,并且对实际生产工艺具有指导意义。同时分析了助磨剂在提高硅片表面质量中的作用。     

N_(235)萃取HCl体系中TBP消除第三相的作用机理

通过测定萃取有机相的电导率变化研究叔胺N235(三烷基胺)萃取盐酸体系中第三相的形成及改性剂消除第三相的作用机理。实验结果表明,无改性剂时萃取体系在各种条件下均出现第三相。第三相组成为R3NH (H2O)3·Cl-,具有导电性。加改性剂TBP(磷酸三丁酯)后,第三相消失。本文认为改性剂TBP消除第三相的作用机理是TBP能够将萃合物R3NH (H2O)3·Cl-拆分为可溶于惰性稀释剂的R3NH (H2O)3·O=P(OC4H9)3大阳离子,Cl-离子则以抗衡离子分散于稀释剂中。