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结合中波广播发射台搬迁改造的现状和特点,依据风险评估理论,研究如何应用到中波广播发射台搬迁改造项目技术环节中,通过对涉及问题的研究实现风险评估理论的转化应用,为中波广播发射台的迁建过程、日常播出建立一套便于实施、适应性强的风险管理方案,提升发射台建设水平和日常的安全播出水平。通过风险的控制,保证工程建设目标的实现。 相似文献
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硅单晶研磨片表面状态的分析研究河北工学院(天津300130)刘玉岭,韩清涛,徐晓辉,李湘都硅片研磨是硅器件衬底加工过程中一个重要工序,研磨表面状态的好坏对后步工序的加工直至器件质量,尤其VLSI与ULSI的制备性能与成品率有着极重要影响。但是,这方面... 相似文献
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硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3~10.6比较稳定。 相似文献
297.
应用高压高功率(hphP)甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,确定了hphP VHF-PECVD法沉积μc-Si:H的最优条件参数,在此参数下对hphP和低压低功率(IplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm的较高沉... 相似文献
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299.
在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能。通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯合剂、氧化剂、pH值、活性剂对铜与钽CMP选择比的影响。根据铜与钽的CMP去除机理,从实验结果分析出对铜、钽去除速率影响较为明显的成分,调节这些成分得到特定配比的抛光液,分别实现了铜与钽的去除速率相等、铜的去除速率大于钽、铜的去除速率小于钽。使用上述铜去除速率小于钽的抛光液对12英寸(1英寸=2.54 cm)图形片进行抛光,通过原子力显微镜观察,证明了这种抛光液能有效地修复多层布线CMP中的蝶形坑等缺陷。 相似文献
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