ULSI制备中铜布线的两步抛光技术

在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 .     

新型含联萘基团的旋光聚氨酯的制备与性能表征

以旋光联萘二酚(BINOL)和甲苯-2,4-二异氰酸酯(TDI)为原料, 采用氢转移加成聚合法制备了含联萘基团的新型旋光聚氨酯(S-BPU和R-BPU), 并用FTIR, 1H NMR, UV-Vis, CD和DSC/TGA等手段对该聚氨酯进行了结构和性能表征. 结果表明, 当BINOL的光学纯度逐渐增加时, BPU的旋光度和特性粘度逐渐增大, S-BPU和R-BPU的旋光度最高可分别达到-78°和＋54.6°, 具有较高的旋光能力; S-BPU和R-BPU的玻璃化转变温度(Tg)分别达到258.4和286.6 ℃, 热分解温度(Td)分别为305.6和323.6 ℃, 热分解温度比通常的PU材料提高了100 ℃ 左右, 显示了较好的热稳定性; R-BPU和S-BPU的红外发射率分别为0.682和0.618, 显示了较低的红外发射率.     

用于铜互连CMP工艺的络合剂研究进展

化学机械平坦化(CMP)是实现65 nm及以下技术节点多层铜互连表面全局平坦化的唯一可靠工艺。络合剂为抛光液的主要组分,对材料去除速率、表面完整性起着至关重要的作用。综合分析了不同官能团的络合剂在铜互连CMP工艺中的应用研究现状,探究了不同官能团络合剂的作用机理,分析了络合剂与其他试剂的兼容性,总结了络合剂的发展趋势。     

碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究

在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用。总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量。用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾。     

溶剂萃取分离碱性氰化液中的金

氰化亚金;碱性氰化液;溶剂萃取分离碱性氰化液中的金     

表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用

提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程;深入研究表面活性剂的性质和作用,利用表面活性剂特性,有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。     

硅的切削液的分析研究

重点研究了硅的切削液的作用机理及相应切削液成分选择的理论依据,着重突出了对其渗透性和去除金属离子方面的研究。并在理论的指导下,研制出的切削液性能稳定,效果显著,实现了技术突破。     

中波广播发射台搬迁改造工程技术风险与防范措施

结合中波广播发射台搬迁改造的现状和特点,依据风险评估理论,研究如何应用到中波广播发射台搬迁改造项目技术环节中,通过对涉及问题的研究实现风险评估理论的转化应用,为中波广播发射台的迁建过程、日常播出建立一套便于实施、适应性强的风险管理方案,提升发射台建设水平和日常的安全播出水平。通过风险的控制,保证工程建设目标的实现。     

利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒

利用表面活性剂特性,通过改变硅片和颗粒表面ζ－电势来改变硅片表面和颗粒间静电力极性,有效地控制硅片表面颗粒吸附状态长期处于易清洗的物理吸附状态,在微电子清洗技术上实现了重要突破。     

计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究

随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量.