全文获取类型
收费全文 | 204篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 86篇 |
专业分类
化学 | 29篇 |
晶体学 | 2篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 6篇 |
无线电 | 267篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 17篇 |
2014年 | 33篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 18篇 |
2010年 | 24篇 |
2009年 | 14篇 |
2008年 | 15篇 |
2007年 | 23篇 |
2006年 | 21篇 |
2005年 | 10篇 |
2004年 | 9篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 11篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1963年 | 2篇 |
1962年 | 1篇 |
排序方式: 共有306条查询结果,搜索用时 140 毫秒
141.
142.
N235萃取HCl体系中TBP消除第三相的作用机理 总被引:2,自引:2,他引:2
通过测定萃取有机相的电导率变化研究叔胺N235(三烷基胺)萃取盐酸体系中第三相的形成及改性剂消除第三相的作用机理。实验结果表明,无改性剂时萃取体系在各种条件下均出现第三相。第三相组成为R3NH+(H2O)3·Cl-,具有导电性。加改性剂TBP(磷酸三丁酯)后,第三相消失。本文认为改性剂TBP消除第三相的作用机理是TBP能够将萃合物R3NH+(H2O)3·Cl-拆分为可溶于惰性稀释剂的R3NH+(H2O)3·O=P(OC4H9)3大阳离子,Cl-离子则以抗衡离子分散于稀释剂中。 相似文献
143.
叔胺N235萃取盐酸时酸度对产生第三相的影响 总被引:4,自引:2,他引:2
本文研究了三烷基胺N235-C12H26-HCl萃取体系,在无改性剂TBP(磷酸三丁酯)和含20% TBP两种情况下,初始HCl浓度对HCl萃取率、第三相体积和第三相电导率的影响。发现无TBP时,萃取入有机相的HCl按两阶段形式进入第三相。在nHCl(o)/nN235(o)≤1时,形成的第三相萃合物为R3N·(H2O)m·HCl(m<3)。在nHCl(o)/nN235(o)>1时,萃合物组成接近R3N·(H2O)m·2HCl。第三相的体积及电导率变化均在nHCl(o)/nN235(o)=1附近出现拐点。有机相含20% TBP后,在cHCl(init)≤4.0 mol·L-1范围不出现第三相,cHCl(init)≥5.0 mol·L-1则再次出现第三相,此第三相的组成推测为R3N·(H2O)m·HCl及TBP·(H2O)m·HCl两种离子溶液的混合物。 相似文献
144.
145.
在阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,阻挡层材料钽(Ta)易与铜(Cu)发生电偶腐蚀.针对这一问题,通过电化学分析方法研究了碱性抛光液中非离子表面活性剂对铜钽腐蚀电位的影响;通过CMP实验研究了非离子表面活性剂对铜钽去除速率的影响.结果表明,随着非离子表面活性剂体积分数增加至9%,铜钽的腐蚀电位均降低.最终确定最佳非离子表面活性剂的体积分数为6%.此时,在静态条件下,铜钽电极之间的电位差为1 mV;在动态条件下,铜钽电极之间的电位差为40 mV,可极大地减弱铜钽电偶腐蚀.同时,铜钽的去除速率分别为47 nm·min-1和39 nm·min-1,铜钽去除速率选择比满足阻挡层CMP要求. 相似文献
146.
The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on particles, micro-scratch and corrosion have been investigated. The research studied the effects of polishing pad,pressure, rotating speed, flow rate and post-CMP cleaning on the three kinds of defect, which finally eliminated the defects and achieved good surface morphology. This study will provide an important reference value for the future research of aluminum metal gate CMP. 相似文献
147.
148.
研究了胍类萃取剂Lix782 5对碱性氰化液中金的萃取 ,考察了平衡时间、水相pH值、金初始浓度、离子强度、有机相中Lix782 5浓度、稀释剂的种类、添加剂浓度、温度、相比等因素对金萃取率的影响 ,测定了金的饱和容量 ,研究了Lix782 5对银、铁、铜、镍氰配合物的萃取 ,计算出了金与这些杂质元素之间的分离系数。结果表明 :萃取体系 1 % (v v)Lix782 5— 5% (v v)ROH—C1 2H2 6从碱性氰化物中萃取金具有萃取动力学速度快 ( <5min)、分相快、界面清晰、易反萃、选择性高等优点。金萃取容量可达 3 1 4g L ,并且用合成料液及实际料液进行了金的萃取分离试验 ,得到了较好的结果 相似文献
149.
N1923从碱性氰化液中萃取金(Ⅰ)的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用放射性同位素198Au示踪法研究了伯胺N1923和TBP从碱性氰化液中萃取金(Ⅰ),考察了酸化率、水相pH值、萃取剂浓度等对萃取率的影响,以及NaOH对载金有机相的反萃作用。结果表明,TBP含量大于20%,酸化的N1923与KAu(CN)2摩尔比值在11时,金能够完全被萃取。载金有机相可采用0.1mol·L-1的NaOH溶液定量反萃。机理研究表明,伯胺和TBP萃取Au(CN)2-,符合BC类协同萃取机理。当金浓度大于10g·L-1时,在萃取有机相中形成纳米级的聚集体。 相似文献
150.
在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP,这给抛光液对不同材料的选择性提出了新的挑战。研究了低压2 psi,(1 psi=6.89 kPa)CMP条件下,磷酸和酒石酸作为阻挡层抛光液pH调节剂对Cu和Ta的络合作用。实验结果表明,酒石酸对Cu和Ta有一定的络合作用,能够提高它们的去除速率;磷酸能提高Ta的去除速率,而对Cu的去除有抑制作用。最终在加入磷酸浓度为2×10-2mol/L,酒石酸浓度为1×10-2mol/L,H2O2体积分数为0.3%,pH=8.5时,Cu/Ta/SiO2介质的去除速率选择比达到了1∶1∶1,去除速率约为58 nm/min;同时,磷酸和酒石酸的加入能够有效改善Cu的表面状态。 相似文献