铝薄膜CMP影响因素分析

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。     

用于铜的化学机械抛光液的研究

文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实验结果。结果表明 :该抛光液用于对带有阻挡层和介质层的铜抛光 ,达到了对铜层的高去除速率和高选择比 ,取得了较好的全局平面化效果     

Con-A诱发的淋巴细胞化学发光

本文以刀豆素 A(ConA)为诱发剂,研究了绵羊肺淋巴液中的淋巴细胞鲁米诺依赖的化学发光现象.结果表明,ConA诱发的淋巴细胞化学发光测定具有迅速、简便和敏感等优点,可作为淋巴细胞活化的检测方法.淋巴细胞悬液(106～107个细胞/ml)1ml、ConA溶液(2mg/ml)0.1ml、鲁米诺溶液(10-3M)50μl为最佳测定体系.多形核白细胞(PMN)混杂可明显增强发光体系的发光强度.因此,测定外周血中的淋巴细胞化学发光,细胞的纯化是一个不可忽视的问题.消炎痛可抑制其发光,说明发光可能与花生四烯酸代谢有关.     

水溶剂中芳亚甲基丙二腈与活泼亚甲基化合物的反应

随着人们对人类生存环境的日益重视,越来越多的科学家将有机合成的研究重点放在对环境污染少的绿色合成上.绿色合成要求合成过程中采用无毒的试剂、溶剂或催化剂,反应过程中所排放的污染物最少.水是一种既价廉又无污染的绿色溶剂.水中有机反应的研究越来越受到人们的重视.最近,一些以水作为有机反应的绿色有机合成已有文献报道,如Claisen重排、Aldol缩合、Diels-Alder反应、Michel加成、Knoevenagel缩合等[1～6].本文报道以水作为溶剂,芳亚甲基丙二腈与活泼亚甲基化合物的反应.     

碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响

针对不合腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响.在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响.实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓.片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升.当氧化剂体积分数为3％时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82％,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果.     

氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理北大核心

为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。     

不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响北大核心CSCD

为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用。在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响。实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39%和1.38%,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm。基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理。     

格上身份基简短关联环签名及其电子投票应用

环签名具备匿名性,身份基环签名无需证书,关联环签名可避免用户重复签名,但这些签名占用空间多且效率低。针对这些问题,先输出公共参数和系统主密钥,再提取用户密钥,然后使用格上的累加器对环中公钥进行累加,并将知识证明签名推广至格上,构造出格上身份基简短关联环签名。对该签名的不可伪造性、关联性和匿名性进行了证明。对签名方案进行了性能分析与实验评估,结果表明,该签名节省了时间开销和存储空间。利用该签名及门限秘密共享技术,提出后量子的电子投票协议。     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

硅衬底清洗液中FA/O螯合剂的应用研究

FA/O螯合剂是一种具有1 3个螯合环的新型螯合剂,不含钠离子,并且易溶于水,稳定性好。通过对FA/O螯合剂在RCA标准清洗SC1、SC2溶液中的应用,对XPS的测试结果分析表明,FA/O螯合剂对Fe和Cu的络合能力比NH4OH的络合能力强,RCA标准清洗液中加入少量FA/O螯合剂就可使硅片表面微量铜、铁等金属污染物的去除效果显著增加。对清洗工艺的研究表明,在有螯合剂存在下,清洗温度控制在7 0℃,清洗时间为5 min.2次,效果更好。