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陈昭宪 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(4):68-70
在各项可靠性试验中,电子元器件的失效模式不一定是单一的,有时经常有好几种失效模式同时存在.这时候就需要抓住主要矛盾,采取“各个击破”的方式来逐步地提高产品的可靠性。某集成电路原来存在有五种主要失效模式,如图1所示,其中“芯片键合引起的失效占总失效数的45％。针对这种失效模式,在工艺上采取纠正措施,用铝—铝超声焊代替金—铝热压焊,并增加磷处理工序后,芯片键合点的失效模式已全部消失,可靠性水平得到了提高.而在产品可靠性的新台阶上,第二种失效模式“表面沟道 相似文献
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陈昭宪 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(2):60-61
在对产品进行“试验、分析与纠正”的过程中,每一项成功的纠正措施都会降低产品的废品率。产品废品率与其故障率之间有一定的内在联系。产品废品率反映了产品在某时刻的质量状况;产品故障率则反映了产品在某一时间区间内的质量状况。若记P为产品的废品率;记λ为产品的故障率,当产品母体服从指数分布时,则有关系式 相似文献
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陈昭宪 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(5):69-70,54
电子元器件的可靠性增长过程,是一个TAAF的不断循环过程。一般来说,一个成功的TAAF循环会使产品的可靠性得到一定的提高,若干个TAAF循环就会使产品的可靠性不断的增长。1968年E.P Virene提出了可靠性增长的Gompertz模型,该模型给出了产品可靠性随试验序列而增长的关系为R(K)=a×b~c~k式中k为试验序列,a=(?)R(K)为产品的增长极限,b、C为产品的增长参数,它们满足关系式0相似文献
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陈昭宪 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(3):63-66
1 分组数据和AMSAA增长分析 前面介绍的是单独数据情况,在可靠性增长分析中,有时候还会遇到分组数据的情况,这时就需要排除所有的非关联故障,并对故障数据进行分组。设第j个区间(t_(j-1),t_j)内的关联故障次数为N_j(j=1.2,…,L),其中 0=t_0相似文献