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针对物联网技术广泛运用,智能家居以及智慧社区的开展,网络控制器广泛应用于室内家用电器和室内外传感器的控制.由于应用领域的特殊性,设计产品必须具有高可靠性和高安全性,需要在具体的试验环境中进行相关的产品测试.通过在具体原理图中退耦技术应用和PCB布局设计,并在具体的电气和环境试验(电脉冲群干扰试验和静电放电试验)中进行分析和总结,对产品进行持续改进,试验后手动和移动控制效果提升明显,设计的产品符合国家标准和企业标准的具体性能要求.本课题退耦技术应用适用于智能家居控制系统中市电电压输入控制的各类触摸控制器. 相似文献
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The electronic and structural properties of ReO5 and ReO5 clusters are investigated using density functional theory (DFT) calculations. The lowest energy structures for both the anionic and neutral clusters are determined, and the corresponding photoelectron spectrum is simulated. Our results show that ReO5 can be described as an unusual peroxo molecule, Re(O)3(η2-O2) , while ReO5 is found to be exhibiting the O2 o radical character. Molecular orbital analyses and spin density analyses are performed to elucidate the chemical bonding and the electronic and structural properties in these two rhenium oxide clusters. 相似文献
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一种具有阅读器匿名功能的射频识别认证协议 总被引:1,自引:0,他引:1
在射频识别(RFID)的应用中,安全问题特别是用户隐私问题正日益凸显。因此,(用户)标签信息的隐私保护的需求越来越迫切。在RFID系统中,标签的隐私保护不仅是对外部攻击者,也应该包括阅读器。而现有许多文献提出的认证协议的安全仅针对外部攻击者,甚至在外部攻击者的不同攻击方法下也并不能完全保证安全。该文提出两个标签对阅读器匿名的认证协议:列表式RFID认证协议和密钥更新式RFID认证协议。这两个协议保证了阅读器对标签认证时,标签的信息不仅对外部攻击者是安全的而且对阅读器也保持匿名和不可追踪。相较于Armknecht等人提出的对阅读器匿名和不可追踪的认证协议,该文所提的协议不再需要增加第三方帮助来完成认证。并且密钥更新式RFID匿名认证协议还保证了撤销后的标签对阅读器也是匿名性和不可追踪的。 相似文献
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矩阵分解是矩阵求逆中重要的运算之一,被广泛运用在神经网络、数字信号处理、无线通信技术等领域中。针对传统的分解算法运算不利于硬件实现的缺陷,文中在一种列向量优化QR分解算法的基础上,提出了一种一维线性矩阵分解结构,并完成了其ASIC设计。该分解器支持2~32阶矩阵分解运算,在TSMC 28 nm工艺下工作主频为700 MHz。仿真和FPGA测试结果表明,该分解器与MATLAB运算结果的相对误差小于10-12。在执行12阶级以上规模矩阵分解时,该分解器的运算周期相比传统一维线性结构具有2.3倍的加速比。在执行32阶矩阵分解时,该分解器的运算周期相比于NIVIDA RTX2070具有22.8倍的加速比。 相似文献
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功率放大器是手机的重要组成部分,其效率是影响手机连续通话时间的重要因素。考虑第三代移动电话发射信号的特性,必须选用线性度较高的功放,这会限制功放效率。在不同输出信号功率下,功放效率将随信号的减小而下降。对于一些功放,在输出中小信号时,低功率偏压模式可改善功放效率。功放在低电压模式下具有较小的消耗电流,可以使用DC-DC电压变换器调整功放输入电压改善功放效率。 相似文献
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本研究通过引入立方氮化硼(c-BN),采用放电等离子烧结(SPS)制备Si3N4/BN复合材料,研究了c-BN在高温下的相变对Si3N4/BN复合材料烧结、结构和力学性能的影响.结果 表明:在高温下c-BN发生物相转变原位生成的h-BN能够均匀分散在Si3N4基体中,对于Si3N4/BN复合材料的烧结有明显的促进作用,同时对于Si3N4物相转变和晶粒生长的抑制作用小于直接引入到基体中的h-BN.对材料力学性能的分析显示:相较于直接引入h-BN,添加c-BN的复合材料硬度有轻微地下降,而抗弯强度和断裂韧性同时有了明显地提升. 相似文献
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辛醇改性纳米二氧化硅表面的研究 总被引:18,自引:0,他引:18
纳米粒子由于粒径小,所以具有很高的比表面积,表面原子处于高度活化状态,使得表面能很高,粒子易于团聚,填充未经表面处理的纳米粒子,不但起不到特殊作用,反而会成为复合材料的力学弱点。所以要对纳米粒子进行表面改性,提高分散性,增加纳米粒子与聚合物间的界面结合力。用醇类对许多粉体进行酯化反应是常用的表面改性方法。金属氧化物与醇的反应是酯化反应[1]。酯化反应修饰法对于表面为弱酸性和中性的纳米粒子最为有效,例如SiO2等。醇的羟基与SiO2的表面羟基发生反应脱掉一分子水,达到表面接枝的目的。方程式为:这样R基团接枝到SiO2的表面,由于R基团是亲油性的,从而增加了极性的SiO2纳米粒子与有机物的润湿性。为了推动反应正向进行,关键在于及时将产生的水份引出反应体系。目前国内外用醇对纳米粒子进行表面改性主要采用常规回流法和高压反应釜法[2]。由于微波照射具有对物质高效、均匀的加热作用,同时还具有电磁场对反应分子间行为的直接作用而引起的所谓“非热效应”,所以本实验采用微波照射法用正辛醇对SiO2纳米微粒进行表面酯化反应并与常规回流法进行比较。关于该方面的研究报道国内外较少。1实验部分1.1实验原料纳米SiO2:(10~20nm... 相似文献