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600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管   总被引:3,自引:2,他引:1  
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin...  相似文献   
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微波BJT超宽带低噪声放大器的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。  相似文献   
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本文阐述了EDI安全保密的威胁和威胁的克服;为保证EDI业务的质量,规定了EDI系统的性能要求。  相似文献   
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本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺,结合光刻门极化学挖槽技术,简化制管工序,改善了器件的电性能指标。  相似文献   
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