一种用于联想识别的全光型多值神经网络系统的设计

本文提出一种用于联想识别的全光型多值神经网络系统，该系统利用透镜阵列实现二维图像的傅里叶全息存贮，利用掺铈钛钡晶体的互泵浦位相共轭特性构成网络反馈与光能补充，利用该系统可实现二维图像的人工联想识别。     

CsBr高压X光研究

 采用同步辐射X光源和能散法，对CsBr粉末样品进行高压原位X光衍射实验。由金刚石对顶压砧高压装置（DAC）产生高压，用已知状态方程的Pt粉末作内标，由Pt的衍射数据确定样品压力，最高压力达64.4 GPa。实验结果表明：室温常压下原始CsBr样品是具有简单立方结构的晶体，其晶格常数α＝0.428 5 nm。高压下CsBr的结构有所变化，在51.3~58.4 GPa的压力范围内，(110)线和(211)线发生劈裂，从而形成了四方相。     

杜邦4815干膜应用技术

本文较详细地介绍了美国杜邦公司４８１５干膜的性能和它在微波器件电路制作，尤其是在孔金属化微波器件电路制作中的应用，提供了在我所现有设备（ＹＺＢ－５００曝光机和ＪＢＡ２０００光刻机）条件下，用４８１５干膜工艺能制作出最精细的电路尺寸和间隙值，即国内的新记录。     

异步电机旋转磁场的教学研究

在现有的电工学教材中，一般用作图法阐述异步电机的旋转磁场，虽然简单直观，但理论性不强，不利于掌握概念的本质。本文用简单的数学推证法论述了三相异步电机中旋转磁场的产生及性质、单相异步电机中单个绕组产生的脉振磁场的分解等概念。该方法理论性强，推导简单，能使学生从理论高度理解这些概念，且比作图法节约课时。     

利用图形的对称性巧解最值问题

请看一道苏联大学生数学竞赛试题:在〔。,1〕上给是函数,一砂,则t点在什么位置时,面积召: 召,有最大值和最小值.(如图幼. 巧妙地运用对称图形,便能避免高等数学的繁杂运算,作到一望而解,并可将命题加以推广. 如图2,在〔O,1〕中作出曲线,~扩关于直线:=于的对称曲,,由对称性,可将s,移至左上角,阴影部分即8: 凡,移动:点,相当于卫入子轴上下平移,容易,出,只有当。轴经过尸点即t,合时,阴影面积(即s, 凡)为最小,而刀万轴移至最高处即当t二1时,5.十凡为最大. 困I图2 下面给出几个思考题: 1.若将上题中的函数,二广改为犷=砂,结论有无变化?.(此题系…     

三维随机Ising模型的亚稳态性(Ⅱ)

讨论三维格点环面上随机Ising模型当温度趋向零时的亚稳态性,确定从自旋全为-1的组态到自旋全为+1的组态的最大似然路径和临界组态,并计算出从自旋全为-1的组态出发首次到达自旋全为+1的组态的首达时间的渐近对数估计。证明利用一族带指数扰动的Markov链的大偏差估计。     

冷却速度对激光相变组织分布的影响

提出通过改变边界换热条件，从而改变冷却速度，达到控制激光相变硬化。实验和计算结果的比较表明，这种控制相变及其组织分布的方法能够处理激光淬火难以解决的问题。     

Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films （Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50） for Phase Change Memory

The multiple-state storage capability of phase change memory （PCM） is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents.     

重费米子系统CeAl_3和CeCu_2Si_2的温差电势率和比热的研究

本文从理论上研究了重费米子系统 CeAl_3和 CeCu_2Si_2的温差电势率和比热。结果表明在 TTK 时,系统可用单杂质的 Kondo 理论描述.