首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   369篇
  免费   88篇
  国内免费   62篇
化学   78篇
晶体学   1篇
力学   43篇
综合类   3篇
数学   16篇
物理学   111篇
无线电   267篇
  2024年   5篇
  2023年   15篇
  2022年   15篇
  2021年   20篇
  2020年   12篇
  2019年   19篇
  2018年   15篇
  2017年   37篇
  2016年   25篇
  2015年   13篇
  2014年   31篇
  2013年   39篇
  2012年   29篇
  2011年   25篇
  2010年   30篇
  2009年   35篇
  2008年   29篇
  2007年   10篇
  2006年   19篇
  2005年   22篇
  2004年   13篇
  2003年   10篇
  2002年   10篇
  2001年   12篇
  2000年   6篇
  1999年   2篇
  1998年   8篇
  1997年   5篇
  1996年   3篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   3篇
排序方式: 共有519条查询结果,搜索用时 10 毫秒
101.
制备了一种灵敏度高、 稳定性强的双金属双硅层核-壳结构纳米材料Au@SiO2@Ag@SiO2. 由于双金属之间的硅层促进了远程等离子体的激发转移, 使该纳米粒子具有良好的表面增强拉曼散射(SERS)的特性及优异的稳定性. 利用这种SERS活性材料能直接检测出人体尿液的主要成分, 且该材料呈现出对低浓度(10-6 mol/L)葡萄糖的无标记高效检出能力. 此外, 还实现了人工尿液中等浓度(10-3 mol/L)葡萄糖和尿素分子的同时检测, 以及实际尿液中10-3 mol/L葡萄糖的检测. Au@SiO2@Ag@SiO2纳米粒子具有在多种生物分子存在时快速检测葡萄糖的实际应用潜力.  相似文献   
102.
由于近红外光在太阳光谱中占44%,因此,近红外光驱动的光催化剂的研制具有十分重要的意义.上转换发光材料可将低能量的近红外光子转换为高能光子,这种高能光子可以通过构建荧光共振转移系统将能量转移并活化量子效率较高的半导体材料,对于太阳能的转化利用具有潜在的应用前景.在本文中,通过胶体化学的过程在电纺丝制备的内嵌CdS纳米颗粒以及上转换荧光纳米颗粒(UCNPs)的二氧化硅复合纳米纤维表面外延生长一层二氧化钛层,通过高温煅烧得到二氧化钛复合纳米管.我们通过二氧化硅结构将CdS纳米颗粒与上转换荧光纳米颗粒紧紧束缚在一起,实现较高的荧光共振能量转移.而且,选择β-NaYF4:Yb(30%),Tm(0.5%)@NaYF4:Yb(20%),Er(2%)作为纳米能量转换器,替代以前研究工作中使用的β-NaYF4:Yb(30%),Tm(0.5%)或者β-NaYF4:Yb(30%),Tm(0.5%)@NaYF4纳米颗粒,来进一步提高近红外光的转换效率.通过透射电子显微镜照片很清楚的观察到制备的TiO2复合纳米管内部内嵌有大量的CdS与上转换纳米颗粒.通过X-射线衍射以及X-射线光电子能谱能仪器对产物的物相以及表面的化学组成进行了细致的表征.结果显示,通过本实验方法已经成功获得了TiO2复合纳米管.用稳态与瞬态荧光仪研究了最终样品的荧光性质.研究结果揭示,与上转换纳米颗粒以及二氧化硅复合纳米纤维相比,复合二氧化钛纳米管可以将上转换荧光纳米颗粒的(UV-Vis)部分荧光完全淬灭了.特别是,铒离子的荧光(650 nm)也被有效淬灭转移,说明本研究采用β-NaYF4:Yb(30%),Tm(0.5%)@NaYF4:Yb(20%),Er(2%)纳米能量转换器,可以提高近红外光的转换效率,紫外-可见吸收光谱证实,这种二氧化钛纳米管在紫外-可见光区中的吸收光谱与β-NaYF4:Yb(30%),Tm(0.5%)@NaYF4:Yb(20%),Er(2%)纳米颗粒的荧光光谱具有较大的重叠,使得上转换荧光纳米颗粒与CdS以及二氧化钛组分之间的荧光共振转移的效率大大提高,进而会显著提高光催化的效果.以罗丹明染料作为污染物为模型,我们研究了罗丹明染料在氙灯下或者近红外光光照下的光催化分解实验.研究结果表明,90%的罗丹明染料分子在20 min内就被降解掉,效率高于其它的近红外光催化剂.上转换荧光纳米颗粒的能量转换效率可以得到大幅度提高,本研究工作中制备的光催化剂利用太阳能的效率将会得到极大提高,在未来为能源危机以及环境保护提供一种可供选择的方法与技术.  相似文献   
103.
本文结合我们在为客户PCB镀金层厚度测量服务时所遇到的问题和解决方法,详细的介绍了几种PCB镀金层厚度测量方法的原理、测定流程及其适用范围。  相似文献   
104.
李克特式量表是社会科学研究中常用的计分方式,但也有为数不少的研究采用模糊语言量化方式.为了了解模糊语言的计分性质,文中以梯形模糊数为例,对李克特式量表与模糊语言的计分误差进行了比较.仿真结果表明,模糊语言量表计分误差小于李克特式量表,从而为模糊语言量表的应用者以及相关的研究者提供了参考.  相似文献   
105.
文成  汪洋 《中国集成电路》2022,(11):21-25+62
本文提出了一种带有动态缓冲器的宽电源范围低压差线性稳压器(LDO)。该LDO使用0.18μm BCD工艺成功流片并测试,总面积为850μm×1090μm。耐高压的LDMOS用于承受每条路径上的大部分电压,以满足宽电源范围的要求。缓冲器中使用动态电流偏置来降低其输出电阻,从而将传输器件栅极处的极点推至高频,并且不会耗散大的静态电流。本文的LDO在空载情况下消耗16μA静态电流,能在5.5V-40V的宽电源范围内正常工作,典型输出电压为5V,并且在5.5V供电,低压差的情况下能提供70m A负载电流。  相似文献   
106.
电爆丝断路开关是在电感储能系统中广泛应用的断路开关, 其具有结构简单、成本低、截断能力强的特点。介绍了电爆丝工作的基本原理, 其本质为一个快速增长的电阻, 利用高阻抗来实现断流。通过PSpice软件建立了电流通过电爆丝断路开关工作时, 其电阻变化的模型, 从而可以仿真电爆丝断路开关的工作过程。设计了一组电爆丝断路开关的实验, PSpice模型仿真结果同实验结果进行了比较。结果发现, 该模型起爆时刻, 产生电压幅值等方面和实验结果比较接近, 说明该模型比较科学合理, 对以后的电爆丝断路开关的设计具有较大的参考价值。分析了产生误差的原因及该种仿真方法的局限性。  相似文献   
107.
宿然  郑喜凤  陈宇  刘凤霞  张鑫  汪洋  曹慧  苗静 《发光学报》2023,44(2):346-355
LED显示屏的图像显示质量一直是显示行业内重点关注的问题,而LED显示屏的白平衡参数决定了其复现和还原的显示图像的亮度和色调,是影响图像显示质量的重要因素。一般情况下,显示屏的白平衡由红、绿、蓝三基色的亮度配平比例确定,而且该配平比例相对稳定;但是对于LED的各个基色来说,环境因素的变化会引起基色参量的变化,从而导致显示屏白平衡的漂移,严重影响图像显示质量。本文基于色度学理论和LED显示特性,构建了特定LED显示颜色空间模型;并在设定颜色空间探究不同温度环境各个基色仅在亮度变化条件下对白平衡参数的影响,重点研究了在温度波动条件下白平衡的漂移规律以及显示图像产生的色调的畸变情况;通过归纳不同波动参数定量分析温度变化对LED显示屏白平衡主要参数的影响,为高清LED显示控制系统提供较有价值的图像修正理论依据,有助于提升高端LED显示产品的显示质量。  相似文献   
108.
随着学校体育中武术教学内容的不断增加,选择初级长拳第三路进行教学的各级各类学校的数量也扩大,因此对于初级长拳第三路的教学方法的研究就显得非常必要,本文根据笔者多年的教学实践并结合武术教学的规律对此进行了探讨。  相似文献   
109.
哺乳动物细胞胞质分裂过程中伴随着一系列形态学改变,随着分裂沟不断收缩,形成连接两 个子细胞的细胞间桥. 间桥不断拉长、变细,直至断裂、生成两个子细胞. 采用细胞力学 和形态学测量及分析方法,通过施加肌球蛋白II抑制剂,定量研究了NRK细胞间桥变细动力 学; 采用细胞免疫荧光技术, 检测了早期胞质分裂肌动蛋白的分布,揭示肌球蛋白II缺失细 胞胞质分裂可能的机制. 结果表明:施加肌球蛋白II抑制剂的NRK细胞, 其整体形态学和细胞 间桥形态学曲线明显不同于0.3%DMSO组. 根据流体力学特性和所测量的力学参数对曲线 进行模拟发现,表面张力对肌球蛋白II抑制组细胞的间桥动力学曲线轨迹影响很大. 研究结 果提示由细胞力学特性决定的拉普拉斯压力和细胞运动共同参与了肌球蛋白II缺失细胞胞 质分裂的调节.  相似文献   
110.
袁家湾滑坡受人类活动控制和影响非常典型,在新构造活动以及褶皱构造和断裂构造较强烈的影响下,发育于结构松散破碎、表层风化严重的砂砾岩夹泥岩的顺倾岩层中,本文以滑坡的工程地质分析为主,结合FLAC3D数值模拟,分析了边坡在复杂的自然环境下和人类活动改造过程中的重复性、继承性、相似性和增大性的滑动特征,以及在人类改造形式下的独立性和多样性的破坏形式,揭示该滑坡伴随着人类的切坡开挖破坏逐渐加深加大,逐步向自然状态协调发展的演化过程。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号