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91.
从OFC 2003看平面光波导器件的发展动向 总被引:3,自引:0,他引:3
概述了2003年OFC会议上报道的平面光波导器件,着重介绍了平面光波导器件在新材料、新工艺、新结构方面的新进展和发展方向。 相似文献
92.
不同衬底折射率的多模干涉耦合器 总被引:2,自引:2,他引:0
设计了一种具有不同衬底折射率的新型多模干涉耦合器,在多模波导区引入了更强的光场限制,激发更高阶的导模,从而提高映像质量.采用二维有限差分波束传播方法模拟了这种新型的结构,结果表明:与传统结构相比,以功率均衡性和附加损耗为衡量标准的映像质量有了明显提高.这种结构可以应用于三维SOI脊形波导中. 相似文献
93.
94.
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以 NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小 相似文献
95.
MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
详细分析了基于自镜像效应的 MMI DMUX器件的基本工作原理 ,在此基础上 ,在 SOI材料上完成了对 8信道 MMI DMU X的具体设计 .该器件的输入、输出单模波导采用 Soref的大截面脊形光波导理论进行优化设计 ,最后获得了当输入、输出单模波导宽度为 5 μm,SIE多模波导宽度和长度分别为 72 μm和 6 313.4μm时 ,该器件对8信道波长的隔离度均在 35 d B以上 ,且理论传输损耗 <0 .18d B. 相似文献
96.
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数.氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得.根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间. 相似文献
97.
98.
A 2× 2 electro-optic switch is experimentally demonstrated
using the optical structure of a Mach--Zehnder interferometer (MZI) based
on a submicron rib waveguide and the electrical structure of a PIN diode on
silicon-on-insulator (SOI). The switch behaviour is achieved through
the plasma dispersion effect of silicon. The device has a modulation arm
of 1~mm in length and cross-section of 400~nm× 340~nm. The
measurement results show that the switch has a VπLπ
figure of merit of 0.145~V\cdot cm and the extinction ratios of two
output ports and cross talk are 40~dB, 28~dB and -28~dB,
respectively. A 3~dB modulation bandwidth of 90~MHz and a switch
time of 6.8~ns for the rise edge and 2.7~ns for the fall edge are also
demonstrated. 相似文献
99.
SOI-Based 3dB MMI Splitter 总被引:4,自引:3,他引:1
3 d B splitter is one of the key devices in the integrated optics. Y-branch and X-crossbranch are both the conventional structures to realize3 d B splitter,however,which aredifficultto fabricate because of the small branch angle.In re... 相似文献
100.