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11.
从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义. 相似文献
12.
13.
不同的嵌入式系统硬件平台,往往有其独有或特殊的设备.在嵌入式系统的开发当中,驱动程序的开发是非常重要的.本文阐述了Windows CE驱动开发的两种专用的驱动模型,重点介绍了流接口驱动程序的开发中的PWM驱动和伺服驱动器检测驱动. 相似文献
14.
15.
支持向量机(SVM)是一种新的很有效的模式识别方法,将其应用到雷达信号识别中可以较好地解决此类问题.由于传统的支持向量机由两类扩展到多类问题时,会出现不可分区域.针对雷达信号的多类识别这一实际问题,提出解决这一现象的模糊支持向量机理论(FSVM),并定义输入向量对于某类的隶属度函数,更符合实际情况.此外,支持向量机理论本身对于支持向量的选择并没有指导性,对此利用模糊C均值(FCM,Fuzzy C-Means)聚类,对训练样本进行预处理,可以大大减少训练样本的数量,从而提高支持向量机的训练速度.仿真对比实验和结果证实了结合FCM对训练样本预处理的FSVM法对雷达信号识别具有训练速度快、识别准确率高的特点. 相似文献
16.
17.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献
18.
分别在B3LYP/6-31G(d,p)和B3LYP/6-311++G(d,p)水平下,对二氢硫辛酸及可能的解离途径中形成的自由基进行结构优化,采用S—H键解离焓(EBD)和分子的电离势(EIP)为理论指标,探讨了二氢硫辛酸可能的抗氧化性机理,并研究了溶剂(水和苯)效应的影响.结果表明,C(1)上S—H断裂形成的自由基b较易形成;以EBD和EIP为理论指标,可以较好的说明分子的抗氧化性及溶剂效应对抗氧化性的影响.随着溶剂的极性增加,EBD变化较小,而EIP则显著减小,表明溶剂效应对清除自由基的电子转移反应机理影响更大.分子最高占据轨道HOMO能级顺序与EIP数值所预测的抗氧化性顺序一致. 相似文献
19.
原位漫反射傅里叶变换红外光谱研究锰铁基催化剂上低温选择性催化还原反应机理简 总被引:4,自引:0,他引:4
采用自蔓延燃烧法制备了Ti0.9Mn0.05Fe0.05O2-δ催化剂,运用原位漫反射傅里叶变换红外光谱对该催化剂的NO和NH3稳态吸附以及NO和NH3瞬态反应进行了详细地分析与讨论. 结果表明,相比于Lewis酸性位,150℃时Brönsted酸性位吸附的NH3更具有SCR活性;与双齿硝酸盐和桥式硝酸盐相比,NO吸附产生的单齿硝酸盐是主要的中间物种;该SCR反应遵循Eley-Rideal和Langmuir-Hinshelwood机理,但以后者为主. 另外,O2的存在有利于NO的氧化和配位态NH3的活化. 相似文献
20.
通过缓慢蒸发溶剂法合成了2例新的三维稀土钼酸盐:[Ln (H2O)3]3[LnMo12O42]·xH2O,其中Ln=Eu (1)、Tb (2),x=7(1),10.17(2)。这2种稀土钼酸盐中都含有新颖的二十面体[LnMo12O42]构建单元,该单元通过与{LnO9}多面体进一步连接形成三维网络。光致发光测试表明,化合物1和2显示出明显不同的发射特征,这与Eu3+和Tb3+离子的不同能级跃迁密切相关。化合物1表现出较强的红色发射(CIE色度坐标为(0.66,0.33))、高发光强度、较大的荧光量子产率(约60%),对应于从5D0到7FJ (J=4、3、2、1、0)的跃迁;化合物2表现出浅绿色发射(CIE色度坐标为(0.34,0.60)),对应从5D4到7FJ (J=6、5、4、3)的能级跃迁,其发光强度较弱和荧光量子产率较低(约20%)。有趣的是,一定量的Tb3+引入和大量溶剂分子的存在导致化合物2发生部分荧光猝灭,但对化合物1的荧光几乎没有影响。 相似文献