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本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展. 相似文献
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Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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日本三洋电机公司为了增加生产快闪EZPROM,在生产分公司约投资150亿日元,使目前400万个的生产能力扩大二倍。由于数字摄像机等新型设备的需要增加,生产能力的成倍增加是必要的。新增新泻三洋电子的H条生产线。1997年的半导体设备投资为630亿日元。三洋投资150亿日元生产快闪 相似文献
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