固体高分辨~(13)C NMR研究γ线辐照对结晶聚乙稀聚集态结构的影响

结晶聚乙烯(PE)经~(60)Coγ线辐照后,用固体高分辨~(13)C NMR CP/DD/MAS方法观测解析了辐射效果与具有片晶结构的结晶相,结晶—橡胶状无定形界面相以及橡胶状无定形相的聚集态结构的关系。考察了各相中的~(13)C核自旋—晶格弛豫和自旋-自旋弛豫行为及辐照对其影响。得到辐照后产生交联,破坏,相转变及晶型变化等有意义的结果,对PE的辐照效应和机制的探讨提供了核磁共振的新实验证据。     

远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵

设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。     

激光椭偏仪多角入射法测定磁性石榴石薄膜的厚度和折射率

本文叙述了椭偏仪在测量磁性单晶薄膜的光学常数和厚度中的应用。采用“多角入射法”,在波长6328(?),直接判别膜厚周期 D(?)的正整数倍 m(?),从而计算出2(?)>360°时外延膜的真空厚度.在入射角为75.0°时,我们测量了上述薄膜的厚度和折射率的重复误差。     

半导体制造车间设施规划浅析

在半导体制造业中,由于其设备的昂贵性、敏感性和制造过程的复杂性,工厂的布局一般不可以轻易更改。设计不周的不良布局将会导致庞大的物料搬运成本,无效的生产以及重新布局时所需要的大量成本。因此,工厂的设施规划已经成为半导体制造商们最关心的问题之一。本文依据设施规划的原则对半导体车间的最新布局方式作了系统的阐述。     

NaS分子中束缚—自由跃迁光辐射特性研究

自马祖光教授首次提出NaS组合新型分子构想以来,我们采用从头计算法理论计算了NaS分子的势能曲线,获得了其光谱常数的理论值。计算结果表明NaS分子中存在着束缚—自由跃迁,在此基础上,本文利用“反射方法”计算了NaS分子中束缚—自由跃迁     

在触媒生长cBN区观察到wBN晶粒

 用高分辨率（0.2 nm）电子显微镜，对hBN-触媒体系经高温高压处理后的产物观察中，看到尺寸约为30 nm的微小颗粒，经电子衍射方法判定其具有纤锌矿结构，为wBN的雏形晶粒。     

提高检测电容交验合格率

一、小组概况 长岭机器厂七分厂主要承担工厂塑料制品生产加工任务。注塑三班Qc小组成立于1991年,现有员工十名。小组主要承担分厂绝大部分军电、纺电及部分家电产品的塑料件生产加工任务。本班组生产的零件品种多,结构复杂,质量要求高,加工难度大,是分厂质量控制重点。     

自注入式固体Ce~(3+)∶LuLiF_4激光器中紫外亚纳秒脉冲序列的产生

提出一个注入式结构，它可以用在各种脉冲激光器中产生短脉冲序列。在这个结构中，从短腔种子激光器产生单一的亚纳秒脉冲，这个种子脉冲在同一增益介质中被再生放大，直到增益衰减到最小。用一个１０ｎｓ脉冲激光器泵浦固体激光介质Ｃｅ３＋∶ＬｕＬｉＦ４，直接地，被动地产生了紫外亚纳秒脉冲序列。