表面等离子体共振生物传感器连续检测莱克多巴胺

利用表面等离子体共振生物传感器对莱克多巴胺抗体与固定在芯片表面的莱克多巴胺衍生物的相互作用进行了分析,解离常数为2.56×10-6s-1。根据一定范围内相对响应值和时间近似呈线性关系的动力学特性,建立了连续检测的方法,从而简化了实验步骤,有利于提高芯片的使用寿命。检测莱克多巴胺采用抑制法,将莱克多巴胺衍生物固定在芯片的表面,莱克多巴胺抗体与样品混合后流过芯片的表面,所得相对响应值与样品中莱克多巴胺的浓度成反比。单个样品的检测时间设定为15min,对应的检出限小于4μg/L。     

人工神经网络分光光度法同时测定钼和铬

在钼，铬－二溴邻硝基苯基荧光酮－ＣＴＭＡＢ显色体系中，应用三层ＡＮＮ－ＢＰ网络解析钼和铬的吸收光谱，不经分离分光光度法同时测定钼和铬。钼和铬的表观摩尔吸光系数分别为ε５４５＝ ６．４８×１０４Ｌ·ｍ ｏｌ－ １·ｃｍ － １，ε５４７＝ １．５４×１０４Ｌ·ｍ ｏｌ－ １·ｃｍ － １。对合成样品和合金钢中钼和铬进行了同时测定，结果满意。使用改进的ＢＰ算法，避免了神经网络学习过程中可能产生的麻痹现象。提出了目标向量的简单变换方法及便于网络参数选择的收敛评价函数。     

激光心肌血管重建术改善心肌血液微循环的研究

报告了用放射性生物微球测量局部心肌血流量的动物实验。研究结果表明 ,采取特制的滤波器技术所打出的CO2 激光孔道能有效地改善心肌血液微循环和心肌的缺血状况。根据激光和心肌组织的作用机理对激光心肌血管重建术研究过程中出现的一些相互矛盾的实验现象进行了分析和解释     

高能化学氧碘激光激光近场高频光角谱特性研究

高能化学氧碘激光(COIL)激光近场存在着大量的高频光,这部分光会对光束质量及强光通道附近的系统造成严重的危害,因此需要研究这些高频光在近场的传输规律。分析了各种不同的高频光的产生机理和特性,其中输出镜的衍射和高阶模对高频光的贡献最大,因此是主要研究对象。通过在光学通道内设置多个测试光阑测量了不同位置的能量,并根据该位置的空间角计算出高频光角谱。采用了三种不同的研究方法分别计算在不同出光时间下的角谱特征,得到了较一致的结果。研究结果表明高频光的角谱越往通道后端数值越大,当光束质量恶化时角谱值增大,通道内的能量损失增加。根据角谱曲线可以计算出每个防护光阑上的功率和能量,这为高能COIL激光系统热管理技术奠定了坚实的基础。     

一种基于硅基MEMS三维异构集成技术的T/R组件

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工艺实现。组件集成了六位数控移相、六位数控衰减、串转并、电源调制、逻辑控制等功能,最终组件尺寸仅为15 mm×8 mm×3.8 mm。测试结果表明,在Ku波段内,该组件发射通道饱和输出功率大于24 dBm,单通道发射增益大于20 dB,接收通道增益大于20 dB,噪声系数小于3.0 dB。该组件性能好,质量轻,体积小,加工精确度高,组装效率高。     

Non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AlGaN/GaN high electron mobility transistor with high breakdown voltage

A non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AlGaN/GaN high electron mobility transistor(quasi-EDHEMT) with a thin barrier, high breakdown voltage and good performance of drain induced barrier lowering(DIBL)was presented. Due to the metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) grown 9-nm undoped AlGaN barrier, the effect that the gate metal depleted the two-dimensiomal electron gas(2DEG) was greatly impressed. Therefore, the density of carriers in the channel was nearly zero. Hence, the threshold voltage was above 0 V. Quasi-E-DHEMT with 4.1-μm source-to-drain distance, 2.6-μm gate-to-drain distance, and 0.5-μm gate length showed a drain current of 260 mA/mm.The threshold voltage of this device was 0.165 V when the drain voltage was 10 V and the DIBL was 5.26 mV/V. The quasi-E-DHEMT drain leakage current at a drain voltage of 146 V and a gate voltage of-6 V was below 1 mA/mm. This indicated that the hard breakdown voltage was more than 146 V.     

溴隐亭治疗后的垂体腺瘤细胞超微结构的研究

溴隐亭(Bromocriptin)是治疗垂体泌乳激素腺瘤(Prolactinoma)和生长激素腺瘤(G H adeno-ma)的药物之一。为探讨溴隐亭对瘤细胞形态变化的影响和临床应用价值,我们对五例服用溴隐亭四周以上,手术切除的PRL腺瘤(Prolactinoma)进行了电镜观察,並与未用药的PRL腺瘤进行了比较,发现:1.瘤细胞超徽结构的变化主要表现在瘤细胞变小,核变小,核仁减小或消失,染色质溶解。粗面内质网明显扩张迂曲,囊腔内有电子密度低的絮状物聚集,膜面上核糖体减少或消失。高尔基体扁平囊扩张,线粒体嵴减少或消失,出现空泡化。这些变化可导致瘤细胞的物质代谢和能量代谢障碍,使PRL和GH等蛋白类激素的合成受影响,致使血中的激素水平降低。     

红外激光心肌打孔规律的实验研究

报告了CO_2激光和Er:YAG激光在心肌组织上进行打孔的实验结果。给出了三条实验曲线:输出功率为100W时,CO_2激光心肌打孔的孔深和打孔时间的关系曲线;打孔时间为0.3s时,CO_2激光心肌打孔的孔深和输出功率的关系曲线;脉冲能量为500mJ时,Er:YAG激光心肌打孔的孔深和脉冲数的关系曲线。并对实验结果进行了分析研究,为激光心肌血管重建术的临床应用提供了一个参考。     

电子学与光电子学——电子学与光电子学学科研究进展

随着信息化时代的来临，电子信息技术不仅使社会经济生活发生了巨大的变化，也使军事技术和战争形态发生了根本性的变革。通信、计算机和自动控制技术的发展与广泛应用使几乎所有的工程系统(无论是电子学系统或是非电子学系统)都在不同程度上呈现了电子化信息化的趋势，武器电子学系统也将在武器工程中发挥越来越重要的作用。我院电子学学科主要涵盖电子信息科学技术、机电技术、高压与真宽余电子技术、高功率微波技术等领域，具体地说，包括控制系统与系统工程、无线电测控通信系统、雷达技术、微波电路与天线技术、信号处理与嵌入式系统技术、电子对抗技术、引信技术、传感器执行器技术、微电子与微机电技术、高压电子技术、真宽电子技术、快电子测量技术、电子制造与组装工艺技术、辐射效应与抗辐射加固技术、高功率微波技术等。2003年各项技术持续发展并取得了长足的进步，下面选择几个有代表性的技术领域加以介绍。