概率与统计（续）

概率与统计（续）陈应保（华中师范大学数学系４３００７０八、估计理论前一讲我们介绍了样本数据的初步统计方法．列表和作图．由此看出数据的分布情况和变化趋势．而我们通过抽样获得有效数据的更重要目的是根据样本数据中所包含的信息对总体分布进行统计推断．统计推断...     

加工对难熔金属高应变速率行为的影响——评述

对结构难熔金属，如钨、钽、铪及其合金的高应变速率行为进行了评述。钨、钽及其合金有显著的速率敏感性，而铪很少有或没有速率敏感性。单晶及（１００）取向织构钨具有极佳延性，而（１１０）取向织构钨则以典型的脆性方式断裂。钨重合金（ＷＨＡ）具有中等延性，而且在高应变速率下发生应变局部化。钽具有中等到上等的延性但其变形高度依赖于初始加工织构。铪的延性极佳且在很宽的应变速率范围易于局部化。难熔金属的宏观高应变速     

基于CCD采集的Mach-Zehnder干涉条纹图的处理算法

Mach-Zehnder干涉仪适用于研究气体密度迅速变化的状态。由于气体折射率的变化与其密度的变化成正比,而折射率的变化将使通过气体的光线有不同的光程,因此可通过干涉臂变化对干涉条纹图像效果的影响得到气体密度。实测中,采用图像采集卡和CCD来接收Mach-Zehnder干涉仪产生的条纹图像,再通过计算机对条纹图像的条纹间距进行处理,从而得到气体密度的变化状态。从光干涉理论出发,对Mach-Zehnder干涉条纹图像特征进行了分析,建立了Mach-Zehnder干涉条纹的数学模型,并根据此模型设计了处理Mach-Zehnder干涉条纹图像的算法。算法包括图像的预处理(即图像的噪声提取)、图像的二值化及图像的细化。     

非理想信道下Colpitts混沌电路的自适应同步研究

本文研究了Colpitts混沌电路在非理想信道条件下的自适应同步问题。引入自适应控制器对输入到响应部分（response system）的衰变混沌信号进行预处理，来补偿衰落信道对于同步性能的影响。给出了系统的数学模型，对恒定信道衰变和时变信道衰变两种非理想信道条件下的混沌ColpiRs电路的自适应同步进行了数值仿真研究。仿真结果表明，对于恒定或慢变化的时变信道衰变，自适应控制器可以有效的提高Colpitts电路响应部分和驱动部分（Drive system）的同步性能。     

反恐怖安全检测技术的物理基础

反恐怖安全检测技术已成为人们的热门话题。安全检测技术的诞生和发展离不开物理学家的贡献。物理学为反恐怖安全检测孕育了多种手段和方法。文章简要介绍了X射线探测、γ射线探测、四极共振分析、脉冲式快中子分析、离子迁移率光谱测量、毫米波探测、声学探测、磁场探测、电磁脉冲探测等安全检测技术的物理基础。     

数学问题解答

20 0 2年 8月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 3 86　试证明 :有两边及一个角的角平分线对应相等的两个三角形全等 .(湖北宜昌市十一中学　是海松　443 0 0 3 )证明　设△ＡＢＣ和△Ａ′Ｂ′Ｃ′的三边分别记为ａ、ｂ、ｃ和ａ′、ｂ′、ｃ′,三条角平分线分别记为ｔａ、ｔｂ、ｔｃ和ｔａ′、ｔｂ′、ｔｃ′,半周长分别记为ｐ和ｐ′.当有两边及它们的夹角的平分线对应相等时 ,不妨设ｂ=ｂ′,ｃ =ｃ′,ｔａ =ｔａ′.由ｔａ =2ｂ+ｃ ｂｃｐ(ｐ -ａ) ,ｔａ′ =2ｂ′+ｃ′ ｂ′ｃ′ｐ′(ｐ′ -ａ′)得 :2ｂ+ｃ ｂｃｐ(ｐ -ａ) =2ｂ+ｃ ｂｃｐ…     

浅谈传声器在录音室的拾音方法

制作高质量的广播节目，除了要正确使用电声系统中的各个电声器件和设备以及根据节目的性质选用声学特性合适的录音室以外，还要在录音室内正确布置播音人员的位置及正确安放拾音传声器。本文从3个方面对这些问题做了表述。     

中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.