关于伪压缩映象不动点迭代的一点注记

设$K$是自反的并且具有一致Gateaux可微范数的Banach空间$E$的非空有界闭凸子集.设$T:K\rightarrow K$是一致连续的伪压缩映象.假设$K$的每一非空有界闭凸子集对非扩张映象具有不动点性质.设$\{\lambda_n\}$是$(0,\frac{1}{2}]$中序列满足: (i) $\lim_{n\rightarrow \infty}\lambda_n=0$; (ii) $\sum_{n=0}^{\infty}\lambda_n=\infty$.任给$x_1\in K$,定义迭代序列$\{x_n\}$为:$x_{n+1}=(1-\lambda_n)x_n+\lambda_nTx_n-\lambda_n(x_n-x_1),n\geq 1.$若$\lim_{n\rightarrow \infty}\|x_n-Tx_n\|=0$, 则上述迭代产生的$\{x_n\}$强收敛到$T$的不动点.     

2000年新教材一个高考题的另解

理科天津卷第20题 用总长14．8m的钢条制作一个长方体框架，如果所制作容器的底边的一边比另一边长0．5m，那么高为多少时容器的容积最大?并求出它的最大容积．     

由亚甲基丁二酸根桥联的新颖双U形四核铜配合物[Cu_4(IA)_2(phen)_4(H_2O)_4](NO_3)_4(H_2O)_6

亚甲基丁二酸、邻菲啰啉(phen)和硝酸铜在甲醇-水中反应合成了一种由亚甲基丁二酸根(IA)桥联的新颖双U形四核铜配合物[Cu4(IA)2(phen)4(H2O)4](NO3)4(H2O)6(1),其结构经UV,IR,元素分析和单晶X-射线衍射分析表征。1属三斜晶系,Pī空间群,晶胞参数a=1.2262(3)nm,b=1.282 4(3)nm,c=1.3551(3)nm,α=63.236(2)°,β=75.555(2),°γ=73.126(2)°,Z=2,F(000)=844,R=0.059 6,wR=0.166 2。IA通过8个羧基O将两个U形双核亚单元联接成具有一个对称中心的双U形四核结构,其中每个U型亚单元包含晶体学上不对称的两个Cu(Ⅱ)离子。每个Cu(Ⅱ)离子均处于畸变的四方锥配位环境,除与IA和phen的O,N配位形成锥底平面外,Cu(Ⅱ)还与水配位。     

配合物[Cu（C8H6CIO3）2（H2O）2]的合成与晶体结构

以硝酸铜和对氯苯氧乙酸为原料,合成了标题化合物[Cu（C8H6ClO3）2（H2O）2],并用元素分析仪、红外光谱仪、X射线单晶衍射仪表征了其组成和晶体结构．结果表明,所合成的晶体属三斜晶系,Pi空间群,a=0．51146（6）nm,b=0．70640（8）nm,c=1．326410（15）nm,a=81．7770（10）°,β=86．361（2）°,γ=76．3970（10）°,F（000）=239,Z=1;最终偏离因子R=0．0264,wR=0．0674．在配合物中,铜离子与来自两个对氯苯氧乙酸根的两个羧基氧原子、两个醚氧原子以及来自两个水分子的氧原子配位,形成变形八面体结构．     

计算两不同平行轴间距柱形电容器电容的保角变换法

介绍了保角变换法,利用保角变换中常用的对数变换和分式变换,分别计算了不同平行轴间距的柱形电容器的电容,并进行了讨论。结果表明,当两轴间距离平方等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,电容器的电容与同轴电容器是等效的;当两轴间距分别为大于内外半径之和,或小于内外半径之差时,两种情况下,两轴间距的平方之和等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,两种电容器的电容等效。     

压缩真空场与耦合双原子Raman 相互作用系统中原子和光场的压缩性质

定义了双原子偶极矩的差压缩,利用全量子理论研究了单模压缩真空场与耦合双原子Raman相互作用系统中原子偶极矩差压缩和光场振幅平方压缩的时间演化特性,并通过数值计算讨论了光场的初始压缩参数、原子初态以及原子间偶极－偶极相互作用强度对原子和光场压缩特性的影响。     

基于TMS320LF2407A直流电机闭环调速控制系统的设计

针对某型直流电机调速系统的要求,采用TMS320LF2407A和AT89C51设计一种双核直流电机闭环调速控制系统.TMS320LF2407A采集和调节电机转速信号,AT89C51输入给定转速并显示电机转速.给出系统硬件原理框图和程序流程.试验结果表明该控制系统具有动态响应快、控制精度高、实时显示、数据存储等优点.     

EPON接入保护架构及其性价比分析

高性价比的保护架构对EPON接入网安全稳定和经济有效的运行具有重要作用.文章首先概述了现有EPON接入保护架构类型,并且通过可靠性框图计算分析了各种保护架构的性能价格参数;最后结合电力系统应用环境,给出了满足电力系统通信业务需求的EPON接入最佳保护架构.     

掺杂Sm_2O_3对Y-ZrO_2陶瓷烧结行为和性能的影响

一定量的Sm2O3粉末与3%Y2O3(摩尔分数)稳定的四方ZrO2粉体(Y-ZrO2)经球磨混合、造粒后,在钢模中压制成形,所得压坯在1450~1600℃下烧结后,得到不同Sm2O3掺杂量的Sm2O3掺杂Y-ZrO2(SY-ZrO2)陶瓷烧结体。对不同温度下烧结所得烧结体试样的相组成、密度、电导率、硬度以及抗弯强度等性能进行了测试分析。实验结果表明:将适量的Sm2O3掺入Y-ZrO2中,可以获得具有立方结构的SY-ZrO2陶瓷烧结体,且其密度、硬度和抗弯强度与Sm2O3的掺杂量有关;Sm2O3的加入提高了Y-ZrO2陶瓷的电导率,掺杂0.5%Sm2O3的SY-ZrO2陶瓷800℃时在空气中的离子电导率可达0.02 S.cm-1。本试验的初步实验结果显示,采用二元稀土氧化物(Sm2O3和Y2O3)复合掺杂ZrO2陶瓷材料,可以在保持其良好力学性能的同时,提高其电导率,拓展其应用领域。