软交换调度系统设计分析

随着软交换技术在专网通信领域应用的不断深入,为调度通信系统的演进提供了新的动力。结合调度行业业务发展的需求,提出了一种基于软交换的调度系统,对其中的2个关键子系统:软调度交换机子系统和调度台子系统的设计方案进行了阐述,分析了设计方案中涉及到的3种关键技术:调度信令承载技术、业务交互技术和视频编解码技术,并给出了软交换调度系统的功能特色和未来的研究方向。     

一种便携SAW气体传感器的电路设计

该文采用信号处理技术,设计了一种振荡电路。该电路解决了双延迟线型声表面波(SAW)器件不易起振,频率跳变等问题。整个电路结构简单,对插损低于20 dB的器件有很好的起振效果,满足气体检测的需要。     

一种LFMCW雷达多目标距离-速度配对新方法

针对线性调频连续波雷达双差拍-傅里叶处理中的多目标配对问题,提出了一种新的多目标距离-速度联合配对法。文中分析了连续波与线性调频连续的雷达回波频谱,描述了雷达系统工作原理;然后,利用单载频回波信号测量多目标的不模糊速度,同时利用锯齿调频波测量多目标的不模糊距离与模糊速度;最后,结合距离-速度配对的方法,实现多目标的配对。仿真结果验证了方法的有效性。     

Material properties and effective work function of reactive sputtered TaN gate electrodes

The resistivity,crystalline structure and effective work function（EWF） of reactive sputtered TaN has been investigated.As-deposited TaN films have an fcc structure.After post-metal annealing（PMA） at 900℃,the TaN films deposited with a N₂ flow rate greater than 6.5 sccm keep their fee structure,while the films deposited with a N₂ flow rate lower than 6.25 seem exhibit a microstructure change.The flatband voltages of gate stacks with TaN films as gate electrodes on SiO₂ and HfO₂ are also measured.It is concluded that a dipole is formed at the dielectric-TaN interface and its contribution to the EWF of TaN changes with the Ta/N ratio in TaN,the underneath dielectric layer and the PMA conditions.     

侧伏规律在岩质边坡结构面编录中的应用

理论上,据边坡设计坡面来编录展示结构面的迹线分布应与其在坡面内的侧伏交线一致。把握一定的侧伏规律,处以适当的素描技法,既可吻合实际情况,又可提高绘图效率和资料质量,对边坡结构模型的准确分析不无裨益。有鉴于此,经过现场观测总结,分析了结构面与坡面的各种交切关系及其迹线的侧伏特征。在侧伏规律公式推导的基础上,根据两者产状提出其特征三角形判别法,并编制相应的算图,可校核以及在适当条件下推测某一产状要素。讨论了实践中几类难以作图的特殊情况下侧伏规律的应用。     

不间断电源UPS系统安装应用技术

随着经济的高速发展,人们对能源的依赖性越来越强。出于节能及安全用电的考虑,人们研究并制造出了不间断电源UPS。随着微电子技术的进步,UPS技术进一步发展,同时降低了不间断电源UPS的成本。本文通过分析不间断电源UPS技术的原理、要点和特点,对不间断电源UPS技术提出展望。     

恒定大载荷划痕试验下紫铜的三维形貌及划痕硬度分析

采用圆锥形压头对紫铜进行划痕试验,并通过三维表面形貌仪获取划痕的三维形貌,研究正压力的变化对划痕沟槽所产生的影响. 结果表明:正压力的增大,使得划痕宽度和深度均线性增加,当正压力较大时,位错墙的形成使划痕深度出现周期性的波动,同时压头划刻过程伴有划痕两侧和前端的材料堆积现象,前端堆积高度和厚度、两侧堆积高度和宽度随着正压力的增加而线性增大. 通过“切削与塑性比”说明了压头对紫铜的刻划存在微犁耕和微切削两种变形机制,并且微切削机制在划刻过程中占主导地位. 磨损率随着载荷增加而线性增大,但划痕硬度不随载荷的变化而改变,约为0.77 GPa.      

彩电系统中静音电路的原理与设计

结合市场销量较大的熊猫TMPA88xx系列彩电电路,简要介绍静音电路的功能用途,阐述几款常用伴音功放电路的静音原理,讨论并提供相关软件的支持和硬件电路的设计.     

测试温度对nc—Si：H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０－２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量，实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ〉８０Ｋ后呈指数下降趋势，ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。     

高性能42nm栅长CMOS器件

研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.