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随着ARM处理器在全球范围的流行,32位的RISC嵌入式处理器已经成为嵌入式应用和设计的主流.与国内大量应用的8位单片机相比,32位的嵌入式CPU有着非常大的优势,它为嵌入式设计带来丰富的硬件功能和额外的性能,使得整个嵌入式系统的升级只需通过软件的升级即可实现. 相似文献
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Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
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在程序升温条件下 ,用DSC研究了标题化合物的放热分解反应动力学 .用线性最小二乘法、迭代法以及二分法与最小二乘法相结合的方法 ,以积分方程、微分方程和放热速率方程拟合DSC数据 .在逻辑选择建立了微分和积分机理函数的最可几一般表达式后 ,用放热速率方程得到相应的表观活化能 (Ea)、指前因子 (A)和反应级数 (n)的值 .结果表明 :该反应的微分形式的经验动力学模式函数、Ea 和A值分别为 (1-α) 0 .44、2 30 .4kJ/mol和 10 18.16s-1.借助加热速率和所得动力学参数值 ,提出了标题化合物放热分解反应的动力学方程 .该化合物的热爆炸临界温度为 30 2 .6℃ .上述动力学参数对分析、评价标题化合物的稳定性和热变化规律十分有用 . 相似文献
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布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析 总被引:3,自引:3,他引:0
用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考。 相似文献
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