大气对自由空间光通信的影响机理及改善方法

大气效应对通信链路的影响限制了自由空间光通信技术的应用,研究其影响机理和改善方法有利于降低光通信链路的误码率,提升通信速率及距离.总结了大气对自由空间光通信的影响机理,指出了不同大气效应对光通信的影响形式,其中包括光强衰减、脉冲展宽、光强起伏和闪烁、光束漂移、光束扩展、相位起伏等.综述了现有的大气影响改善方法,主要包括大孔径接收、多波长传输、多光束传输、部分相干光传输、自适应光学等技术,并简述了进一步开展工作的方向.     

无锡本地电话网概况

无锡地处太湖之滨,位于沪宁铁路的中段,交通方便,工农业生产比较发达。1986年,无锡地区所属无锡市、无锡县、江阴市、宜兴县(简称一市三县)的工农业总产值在全国大中城市中居第三位。由于无锡地区经济发达,地区间的经济往来频繁,因而通信业务量大,对电话的接续速度要求较高。根据长话业务资料,无锡往江阴、宜兴的长话业务量占无锡局长话去话业务量的20%;江阴、宜兴往无锡的长话业务量占无锡局长话来话业务量的21%,即一市三县之间通信业务量要占全台交换量的五分之一。如果把这部分话务量转到本地网中去,长途台的单台负荷及设备需要量将会得到缓解。     

飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究

通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si) pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔“凹槽”状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成.比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9％,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍.同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔“光俘获”微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用.     

排除有线数字电视前端故障实例

有线数字电视前端是整个有线数字电视系统的核心之一,其安全和稳定的重要性不言而喻。张家港有线数字电视前端平台自2007年搭建以来,一直稳定安全地运营至今,期间也遇到很多的大小故障,但这些故障基本上都能及时得到排除,笔者作为维护人员之一,期间也积累了一些维护经验,下面通过几个实例和大     

P18—T200型台式再流焊机的设计特点

全面介绍了Ｐ１８－Ｔ２００型台式再流焊机的结构特征、工作原理及其相关技术指标，并结合再流焊机设计中的关键技术问题，提出了自己的解决方案。     

LD泵浦OF耦合NYAB自倍频激光器的初步研究

研制出国内第一台LD泵浦OF耦合NYAB自倍频激光器,产生0.531μm的线偏振绿色激光。基横模运转,阈值泵浦功率为14mW,输出功率达3.6mW,斜效率达3％,偏振度大于99.8％。     

柔性稀疏阵的稳健波束形成

本文将导向矢量失配时的稳健波束形成问题归结为二次锥规划问题,利用高效的内点法求解。该波束形成器成功地应用于存在阵元位置误差的柔性稀疏阵,相对于经典的对角线加载法、特征空间法,在不同的输入信噪比下获得了更好的输出信号干扰加噪声比。仿真结果表明对超稀疏分布的柔性阵,阵元位置误差对输出SINR起决定性影响,而阵列稀疏程度对其影响不大。     

金属外壳手机低干扰NFC天线设计

文中提出了一种适用于金属外壳手机的低干扰近场通信(Near Field Communication,NFC)天线设计方案.在金属外壳手机环境下,NFC天线会给相邻的功能天线带来额外的寄生效应.更为严重的是,NFC天线严重影响了相邻天线的工作频率和工作效率,严重干扰了相邻天线的正常工作.本文中NFC天线被切割成若干部分以...     

兔VX2移植肝癌及隔离灌注模型建立方法探究

应用开腹瘤块包埋法建立了兔移植肝癌模型,探讨了改良动脉插管技术及提高隔离灌注模型建立的成功率.采用的方法是将实验兔建立移植肝癌模型10d后,按动脉插管方法随机分为3组：A组为直视下儿科静脉留置针插管;B组为显微镜下儿科静脉留置针插管;C组为直视下硬膜外麻醉导管插管.建模成功后经肝动脉灌注奥沙利铂,隔离灌注模型建立前测量肿瘤生长大小,常规病理观察肿瘤,比较插管成功率.研究结果表明：肿瘤生长良好,应用儿科静脉留置针插管成功率明显高于硬膜外麻醉导管,显微镜下插管较直视下无统计学意义,奥沙利铂浓度外周静脉显著低于流出道.由此认为采用儿科静脉留置针插管操作简单,成功率高,建立隔离灌注模型外周血药物泄漏少,阻断较完全,是一种实用的隔离灌注建立方法.     

受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.