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利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒 Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54 μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000 ℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54 μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700 ℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+
关键词:
铒
纳米硅
能量转移
氧化铝 相似文献
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The deep-level defects are introduced into n-type silicon by rapid thermal annealing (RTA). The kinds of the defects and thier densities vary with rapid annealing temperature. The minority carrier lifetime is reduced rapidly due to these defects. There are two kinds of the defects: one is related to the metal impurity frozen into the crystal lattice defect: which can be removed by subsequent annealing near 650℃, the other is related to the intrinsic defect of the crystal, which remains after subsequent annealing. Our results show that latter is associated with dislocation. 相似文献
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通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随着尺度减少而引起的量子限制效应增强造成的.对在溶液中的ZnSe纳米颗粒的超快吸收谱的研究表明,当纳米颗粒的平均尺寸为75nm时,电子-声子散射时间为8.74ps;当平均尺寸为45nm时,散射时间为2.77ps.随着纳米颗粒尺寸的减小,载流子与颗粒表面的非弹性碰撞几率增加,从而使载流子-声子耦合的强度增强,导致载流子-声子散射时间缩短. 相似文献
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