插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源. 关键词： InAs 量子点 AlGaAs薄膜 光致发光光谱 有效质量近似模型     

Broadening of Photoluminescence by Nonhomogeneous Size Distribution of Self-Assembled InAs Quantum Dots

The photoluminescence spectrum （PL） of InAs quantum dots （QDs） at 80 K is studied by comparison between the theoretical calculation and experimental measurement. The Gaussian line shape is used to approximate the size distribution of QDs. Its mean volume and the standard full width at half maximum （FWHM） of the PL spectrum. size deviation are well correlated with the peak and The experimental PL spectrum is well reproduced by the theoretical model based on the effect mass approximation including the size distribution without any adjustable parameters. Compared with the standard size deviation value σ = 9 × 10^-2 determined by atomic force microscopic method a small value σ = 7 × 10^-2 is obtained by the best fitting process from the measured and calculated PL spectra.     

128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像

研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db*=2.37×109cm·Hz1/2/W,并最终获得了清晰的室温物体残留热像图.     

溶胶-凝胶制备ZnO-SiO2复合膜的量子效应和上转换发光

采用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜和ZnO-SiO₂复合膜.原子力显微镜照片显示ZnO薄膜具有球状纳米晶粒;可见光-紫外透射光谱表明ZnO-SiO₂复合膜在可见光区的透过率大约是85%,透过率从330 nm开始下降,到290 nm附近降为零.由于量子效应,吸收边出现明显的蓝移.在室温下用不同波长的光激发ZnO-SiO₂复合膜,光致发光谱显示ZnO-SiO₂复合膜对应于激子发射的290 nm附近的紫外发光峰与透射谱所显示的吸收边位置一致,没有出现斯托克斯红移.同时,ZnO-SiO₂复合膜出现了双光子和三光子吸收现象和上转换发光现象. 关键词： 2')" href="#">ZnO-SiO₂ 量子效应 双光子和三光子吸收 上转换发光     

金沙江某水电站上下坝址岩体卸荷差异研究

油水乳化渗流是三元复合驱和热力采油过程中常见的现象,地层介质的微观 孔隙结构特征对乳状液流动有着重要影响. 现有描述乳状液渗流的理论模型都属于确定性方 法,只能反映出介质孔隙结构的体积平均效果. 当介质内部微观非均质性相比其尺寸不能被 忽略时,采用确定性方法描述会与实验结果存在偏差. 基于连续时间随机游走理论建立 了描述乳状液渗流的随机理论模型. 该模型引入反映液滴微观运动特征的跃迁时间和跃迁位 移两个概率分布函数来反映多孔介质微观非均质特征. 研究结果表明该模型能很好地刻画 实验曲线中出现的与介质尺度相关的拖尾现象,可作为更一般的过滤模型.     

THz波段的F-P光子晶体滤波器

理论上设计了一系列一维非周期光子晶体，这些光子晶体具有超窄带滤波的特性.并利用成熟的半导体工艺制备出了具有此性能的滤波器.通过比对理论和实验上的透射光谱，得到了两者符合较好的结果. 关键词： THz波段 F-P滤波器 非周期 光子带隙     

半导体量子电子和光电子器件

本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效应晶体管、量子点元胞自动机、量子阱红外探测器、埋沟异质结半导体激光器、量子级联激光器等。给出了作者在半导体量子器件物理方面的最新研究结果。     

掺杂对金属-MoS_2界面性质调制的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了卤族元素掺杂对金属-MoS_2界面性质的影响,包括缺陷形成能、电子能带结构、差分电荷密度以及电荷布居分布.计算结果表明:卤族元素原子倾向于占据单层MoS_2表面的S原子位置;对于单层MoS_2而言,卤族元素的掺杂将在禁带中引入杂质能级以及导致费米能级位置的移动.对于金属-MoS_2界面体系,结合Schottky-Mott模型,证明了卤族元素的掺杂可以有效地调制金属-MoS_2界面间的肖特基势垒高度.发现F和Cl原子的掺杂将会降低体系的肖特基势垒高度.相比之下,Br和I原子的掺杂却增大了体系的肖特基势垒高度.通过差分电荷密度和布居分布的分析,阐明了肖特基势垒高度的被调制是因为电荷转移形成的界面偶极矩的作用导致.研究结果解释了相关实验现象,并给二维材料的器件化应用提供了调节手段.     

高离化氩原子光谱的实验和理论研究

利用兰州重离子加速器将从ECR离子源射出的Ar4+离子加速、剥离,获得了能量为93.8MeV的 Ar8+离子束流,测量了这些束流通过碳箔后各种离子的发射光谱。根据用全相对论多组态自洽场方法计算出的有关原子数据, 对这些光谱进行了识别和分析。     

碲镉汞导带电子回旋共振线形分析

用远红外激光磁光光谱实验系统测量了N型碲镉汞的导带电子回旋共振，记录了远红外激光入射下的高分辨回旋共振线形。计算表明，这些线形的特征及其与一些物理量的关系可用经典的Drude－模型很好地描述。此外，还用理论与实验拟合的方法获得了载流子驰豫时间T， 并与由弱场低频下迁移得出的驰豫时间T作了比较，对两者差别的 理论问题作了讨论。