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341.
342.
研究伴有化学反应的流经多孔楔形体的,传热传质磁流体的自由、受迫和混合对流.使用结合打靶法的Runge-Kutta-Gill方法,和直到3阶截断误差的局部非相似法,将偏微分的控制方程简化为9个常微分方程.通过Falkner-Skan变换,将边界层控制方程表示为无量纲形式.由于楔形体壁面的吸入/喷出,以及可变的壁面温度和浮力的影响,使得流场呈局部非相似性.就一些特定的无量纲参变数,给出具有3阶截断误差的数值计算.图形显示可变壁面温度和浓度条件下,伴有化学反应时磁场强度对无量纲速度、温度和浓度分布的影响. 相似文献
343.
344.
正交设计优选维药恰玛古总黄酮的提取工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
确定恰玛古总黄酮的最佳提取工艺.以乙醇为溶剂,采用索氏提取,紫外-可见分光光度法测定恰玛古中总黄酮的含量,通过稳定性、精密度和回收率实验检验了该方法的可靠性和重现性.对照品溶液和供试品液均在510nm处有最大吸收.回归方程为A=0.02054C+0.07628,r=0.9998(0-24μg·mL-1);优选的提取工艺为30倍原料重、75%乙醇、提取时间120min.平均总黄酮的含量为2.805%,平均回收率为100.88%,精密度和加样回收率的RSD分别为0.46%和2.26%.本实验操作简便,灵敏度高,结果准确,可用于恰玛古总黄酮的含量测定. 相似文献
345.
346.
347.
提出了求解非线性方程根新的四阶收敛迭代方法,新方法每次迭代只需要两次函数计算,一次一阶导数值计算,效能指数达到1.587.通过几个数值算例来解释该方法的有效性. 相似文献
348.
349.
高补偿硅的阻–温特性 总被引:5,自引:2,他引:3
采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质. 相似文献
350.
高补偿硅的光敏感特性 总被引:2,自引:1,他引:1
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 相似文献