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11.
鉴于4G通讯服务的逐渐扩展,拥有者对于高数据传输率的无线电话入网需求不断增加,这对无线通讯网的负荷能力带来飞速的扩充。一方面使用者应当有不断创新;旧装置的不断淘汰使得通信费用下调,从而增加了拥有者对高速无线电话入网应当有。无线设备使用者对于上网速度的应当有、影像观看、无线设备多数使用者对MAN的应有不断扩充,是推动网协无线引导通信创新的重要方面。 相似文献
12.
有句话说得好"要想富先修路".这句话充分说明了道路建设在综合国力提升中的地位.而迅猛发展的高速公路在交通运输业中有着不可小觑的地位.合理的规划和维护高速公路的建设,有利于节约国家的土地面积,有助于提升一个国家的经济实力.随着工业革命4.0的提出,人类对于物联网技术有了更深层次的突破.如何合理的利用计算机提升电子技术在高速公路上的应用,是实现中国梦中必不可少的一小步. 相似文献
13.
输入串联输出并联全桥变换器在高压大功率DC-DC场合应用十分广泛.本文为了解决输入串联输出并联全桥变换器的输入不均压问题,探究了输入串联输出并联全桥变换器输入侧分压不均和输出侧分流不均的根本原因,研究了该型变换器负载大小对输入均压的影响,定量分析了负载大小和输入不均压程度的关系公式;基于这种分析,提出了通过均压电阻强制给定负载的方法实现输入均压,从而实现了该型变换器的控制简化.文章最后通过仿真和样机实验验证了该方法的有效性和正确性,运用该方法的输入串联输出并联全桥变换器输入电压不均压程度控制在输入电 压的2%,满足工程实践要求. 相似文献
14.
15.
通过Suzuki偶合反应合成出一种主链中含2,7-取代咔唑的蓝光发射共轭聚合物,聚[2,7-(9,9-二辛基芴)-co-2,7-N-十二烷基咔唑](PF27Cz).随着I-(NaI水溶液)的加入,I-的重原子效应使PF27Cz溶液(THF)的荧光逐渐淬灭,其溶液的外观颜色由无色变为浅黄色.通过在相同条件下的对比实验可知其他阴离子的引入并未使PF27Cz的光学性质产生类似的变化.利用Hg2+与I-之间的高结合常数与络合配比,Hg2+的加入使PF27Cz-I-络合物的荧光逐渐回复,其外观颜色也由浅黄色回复至无色.通过对PF27Cz-I-在递增浓度Hg2+存在下的荧光发射性质进行分析可知其对Hg2+的检出限达约为1.6×10-8mol/L.通过对比实验可知背景金属阳离子的存在对Hg2+的光学响应并无明显的干扰.实验结果表明PF27Cz是一类具有较高灵敏度和抗干扰性的turn-on型Hg2+光学探针材料. 相似文献
16.
以碳纳米球为载体,经格氏试剂处理后,与TiCl4反应制成负载型Ziegler-Natta催化剂,在AlEt3存在下,催化乙烯聚合,原位制备聚乙烯(PE)/碳纳米球(CSs)复合物,催化剂活性达5.7×106gPE/(molTi·h),聚乙烯分子量为4.9×105.HRTEM和SEM结果表明,常压聚合条件下聚乙烯/CSs复合物为核-壳结构,颗粒呈圆形,直径约为1μm左右,复合物颗粒中包含碳纳米球.介电分析结果表明,由于碳纳米球的引入,复合物的介电性能相较于普通聚乙烯有明显的提高,从而提高了聚乙烯的抗静电性能,且介电常数和介电损耗都随着聚合时间的延长而降低.此外,采用WAXD,DSC和TGA表征了PE/CSs复合物的结晶性能和热性能,结果表明聚乙烯/CSs复合物具有好的结晶性能和热稳定性能. 相似文献
17.
核电结构的易损性分析是核电厂地震安全评估中至关重要的一环, 但是由于核电结构的复杂性以及考虑土?结相互作用SSI时较大的计算规模, 使得计算核电厂设备易损性曲线十分耗时. 为发展高效的核电厂设备易损性分析方法, 本文采用核电结构土?结相互作用分析的分区计算方法, 并利用有限的SSI分析结果建立神经元模型ANN代替有限元模型, 分别基于对数正态假定的回归法和蒙特卡洛法进行了设备易损性分析. ANN数值模拟包括了以下内容: (1)基于半偏相关系数选择最相关的地震动参数作为ANN输入, 并通过交叉检验建立神经元模型; (2)量化研究ANN数值模拟的预测不确定性, 其中包含了由于简化地震动输入引起的随机不确定性和训练样本缺失引起的认知不确定性; (3)基于ANN模型预测结果分别采用蒙特卡洛法和基于对数正态假定的回归法进行设备的易损性分析. 本文探讨了不同的地震强度指标以及土层材料的不确定性对易损性曲线的影响, 同时验证了回归法中对数正态模型假定的基本合理性, 为核电厂设备易损性分析提供了一种可能方向. 相似文献
18.
19.
20.
我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2. 相似文献