二维光子晶体对面发射激光器横模控制研究

垂直腔面发射激光器的单模输出特性在光网络数据传输光互连、光存储和激光打印中有重要的应用.传统的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器由于串联电阻大、发热严重而很难工作在单模状态.二维光子晶体结构可以有效地控制垂直腔面发射激光器的横向模式,使器件工作在单模状态下.从理论上系统研究了光子晶体垂直腔面发射半导体激光器的单模条件,成功设计了一组单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,并通过常规工艺制作出功率0.6 mW、边模抑制比大于30 dB、阈值电流4 mA、远场发散角8.4°、不受电流注入影响的单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器.实验证明:光子晶体可有效地进行横模控制.     

基于杨氏双缝干涉原理的SOI微环生物传感器结构与模拟

提出了一种基于杨氏双缝干涉原理的SOI基微环生物传感器。利用散射矩阵方法和双缝干涉原理得到了干涉屏上的干涉场强分布,研究结果显示,我们提出的这种传感结构非常有利于生物传感的应用,因为干涉图形相对于微环周围折射率的变化非常敏感。微环周围折射率的微小扰动就会引起干涉屏上干涉相消点的显著移动。我们通过探测干涉屏上干涉相消点的移动达到检测上限制层折射率变化的目的。     

量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器

采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次.该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上.     

金纳米颗粒增强富硅氮化硅发光特性的研究

采用时域有限差分(FDTD)方法,对Au纳米颗粒的尺寸和形貌对于其光学特性的影响进行了系统的理论研究。通过采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、晶化处理、电子束蒸发和高温退火等工艺,制备基于局域表面等离子共振(LSPR)效应的富硅氮化硅发光芯片。利用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、奥林巴斯显微镜等对不同结构Au纳米颗粒富硅氮化硅发光器件的特性进行了表征。研究表明,通过对Au纳米颗粒的大小、形状和分布合理优化,富硅氮化硅芯片的发光强度在570nm波长附近提升了7倍,增强峰的位置红移了10nm。     

取样光栅DFB激光器

制作了取样光栅DFB激光器，比较研究了三种取样光栅的制备工艺，测试得到的取样光栅DFB激光器梳装光谱和理论计算大致吻合.     

取样光栅DFB激光器

制作了取样光栅DFB激光器,比较研究了三种取样光栅的制备工艺,测试得到的取样光栅DFB激光器梳装光谱和理论计算大致吻合.     

宽带可调谐取样光栅DBR激光器

利用离子注入量子阱混杂技术,成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器.器件不连续调谐范围超过30nm,边模抑制比大于30dB.     

量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器(英文)

采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次．该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上．     

光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器研究

文章报道了国内首次研制成功的光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器，实现了连续电注入激射．发现器件能否激射直接依赖于光子晶体结构参数，而激光器的阈值、输出功率、输出模式等与光子晶体的晶格常数、占空比、腔的大小等因素有关．     

设计并制作了1.55μm波长的微槽条形单模激光器

我们在P-InP衬底上制作了一种适用于键合的刻蚀slot的单模激光器。这种激光器通过普通光刻和干法刻蚀的方法在表面刻蚀出slot,并实现了单模输出。我们利用CAMFR软件设计和优化了slot的参数,并应用到实验中。最终得到了近室温下连续电泵的单模输出,单边最大输出功率5mW,