LiNbO_3光波导器件及其在光纤通信中的应用现状

ＬｉＮｒＯ＿３光波导器件不受光信号带宽限制，易实现系统的高效率和高速化，是构成现代超高速、大容量和长距离光纤通信干线系统和光交换系统极具魅力的关键器件。本文着重介绍ＬｉＮｂＯ＿３光波导及其器件的原理、结构、性能与制作技术，以及在光通信领域中的应用。     

用时间微分扰动角关联技术表征MO／γ－Al_2O_3加氢脱硫催化剂──Ⅱ．还原态Mo／γ－Al_2O_3催化剂

用时间微分扰动角关联技术表征ＭＯ／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３加氢脱硫催化剂──Ⅱ．还原态Ｍｏ／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３催化剂孙桂大，于延云，鲁琴，焦阳，任立国，阎富山（抚顺石油学院石油化工系，抚顺１１３００１）倪新伯（中国科学院上海原子核研究所，上海２０１８００）...     

制导波宽带声光Bragg偏转器及其在光通讯和RF信息处理中的应用

在集成光学信息处理和通讯系统中,声光Bragg偏转器是关键性的有源器件,因此实现具有尽可能宽的带宽和尽可能高的偏转效率的器件是很重要的.我们在钛扩散Y-切LiNbO_3平面光波导上利用两个倾斜SAW相控阵换能器设计制作了导波声光Bragg偏转器.用0.63μmHe-Ne激光进行了Bragg偏转实验,光斑质量较好.在280MHz的中心频率上测得200MHz的偏转带宽和在210mWRF驱动功率下40%的偏转效率.最后,评价了这种宽带偏转器结构的优缺点,例举了在光通讯和RF信息处理中的应用.     

S波段低温低噪声放大器的研制

介绍了基于ADS仿真的低噪声放大器的设计与制作方法;重点研究了LNA的直流偏置、稳定性分析、匹配设计、版图制作和调试;提出了源级负反馈和栅极加并联阻抗的方法来实现了电路全频段稳定和低温正常工作。采用ATF-34143制作了中心频率在2.25的低噪声放大器,在77K温度下,该放大器带内输入输出驻波比小于1.2,增益达到23dB,噪声系数为0.24dB。     

飞秒脉冲通过多层体光栅后的衍射光强分布

基于单层体光栅的耦合波理论和矩阵光学知识,推导出飞秒脉冲通过多层体光栅衍射后的耦合波方程,并由此得到衍射光强谱和瞬时衍射效率表达式.研究结果发现衍射光强谱和瞬时衍射光强分布是与多层体光栅的结构参量,如中间填充层厚度、光栅层厚度、光栅常量及体光栅材料的折射率调制度有关系的.通过调节这些参量,获得了不同形状和不同宽度的衍射脉冲.该结果可用于设计基于多层体光栅的光通信和光脉冲整形器件.     

分子印迹材料选择性截留卷烟烟气中芳胺的研究

采用分子印迹技术合成了一种对1-萘胺有高度选择性的分子印迹聚合物材料。应用固相萃取吸附试验研究了该聚合物对1-萘胺及其结构类似物的选择特性,表明印迹聚合物材料对4种芳胺类物质表现出良好的选择性结合能力。将所制备的印迹聚合物按不同剂量添加到卷烟嘴棒中,考察其对卷烟烟气中芳胺的截留效果。结果显示,该分子印迹材料能选择性截留卷烟烟气中的1-萘胺、2-萘胺、3-氨基联苯和4-氨基联苯等烟气有害成分;当印迹聚合物添加量为50mg时,卷烟烟气中芳胺的降低率达到30%。     

Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate

The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 （Tl-2212） superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω.     

推进“两化”融合的思考

回顾我国工业化和信息化的发展历程,从党的十五大提出“大力推进国民经济和社会信息化”,到十六大“以信息化带动工业化,以工业化促进信息化”,再到十七大“工业化、信息化、城镇化、市场化、国际化”的“五化”并举和“信息化与工业化”的“两化”融合,体现了我国对信息化与工业化关系的认识不断深化。     

某精密进场雷达天线传动系统的综述

本文根椐控制论和机械原理对某型精密进场雷达天线传动系统的传动原理、整体布局所采用的机构类型进行了分析,对雷达天线传动系统的设计过程所遵循的次序和设计构思进行论述。