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101.
102.
像素非均匀性是CCD成像性能评价中的一个重要指标,反映的是像素结构本身的差异。传统的以灰度值为基础计算DSNU和PRNU的方法未能考虑读出电路引入的时域噪声,且计算时未剔除不同像素曝光时间不同带来的误差,计算结果也只适用于某个具体曝光量。在分析CCD信号流的基础上,厘清灰度值不均匀的影响因素。参考DSNU和PRNU的计算方法,再结合帧转移型CCD的工作方式,提出了设置多档曝光时间,每档曝光时间下采集多帧暗(亮)图像,再通过拟合求得暗电流(暗电流+光电流)后并以之为基础计算暗电流非均匀性DCNU和光电流非均匀性PCNU的方法。同时,建立CCD像素非均匀性测试系统,验证其光源的稳定性和均匀性,以排除采集图像过程中测试系统引入的时域和空间误差。在此测试系统的基础上,利用新方法测得CCD的DCNU为25.51 e-/pixels-1,PCNU为0.98%。相比于传统的DSNU和PRNU值更准确地反映了CCD像素结构的非均匀性,所得结果更具普遍适用性。 相似文献
103.
104.
用量热滴定法于298.15K测定了除钪、钷以外的全部十五种稀土(III)高氯酸盐与苯并-15-冠-5在乙腈溶液中的配位作用。借助计算机算出了配合物的稳定常数和配位焓, 进而算出了配位自由能和配位熵。结果表明:十五种稀土(III)离子与苯并-15-冠-5都可以配位, 配位焓为正值;La^3^+配合物最稳定, Ce^3^+次之, 其余稀土(III)离子配合物稳定性变小, 但彼此差别不大, 在Tb处有突变;熵在配合物形成时起稳定化作用。 相似文献
105.
铝箔在盐酸中的交流电侵蚀研究——Ⅲ.交流电频率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用10-100Hz频率的交流电研究了铝箔在盐酸溶液中的电解侵蚀,以获得高的表面积扩大率K0值。K0与频率的关系曲线上存在一相对最佳频率fm。fm随温度升高移向较高频率端。20Hz与35℃条件下得到的K0值最大。频率增高有利于使侵蚀膜增厚,温度升高使膜溶解。用膜重G击破电位Ep与f之间的关系解释了K0的变化。讨论了铝箔原始表面状态对侵蚀过程的影响。 相似文献
106.
铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究—Ⅰ.50周交流电侵蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电解电容器用铝箔在5M HCl中用50周交流电侵蚀时温度、电流密度、铝箔纯度以及H2SO4添加剂等因素对表面积扩大率K值的影响。得到高K值的关键是得到高质量的侵蚀膜,SO42-是成膜所必需的。用剥膜称重法得到了不同条件下单位真实表面积上的膜重,结合电位波形图解释了一系列现象。侵蚀过程中出现的表面大量掉落黑粉,箔厚减薄、比容不再随电量而增加的现象与侵蚀孔中pH过高、侵蚀膜(氧化铝)水化程度高、体积大因而堵塞小孔有关。保证有足够的H+扩散进入孔中是得到高K值的又一关键。 相似文献
107.
108.
The solubilitices of benzene, toluene and diphenyl in mixed solvents of t-butyl alcohol (TBA) and water at 283.15, 288.15, 293.15 and 298.15 K have been determined by spectrophotometry. The mole fraction of TBA [x (TBA)] in the mixed solvent are 0.000, 0.010, 0.020, 0.030, 0.040, 0.045, 0.050, 0.060, 0.080 and 0.100, respectively. The standard Gibbs energies of solution of benzene, toluene and diphenyl in the mixed solvent have also been calculated based on the solubility data. The hydrophobic interactions (HI) for the pairs of benzene-benzene, methane-benzene and methane-methane in the mixed solvent were calculated and discussed. 相似文献
109.
110.
The dynamics of a Josephson junction array shunted by a common resistance are investigated by using numerical methods. Coexistence of phase locking and chaos is observed in the system when the resistively and capacitively shunted junction model is adopted. The corresponding parameter ranges for phase locking and chaos are presented. When there are three resistively shunted junctions in the array, chaos is found for the first time and the parameter range for chaos is also presented. According to the theory of Chernikov and Schmidt, when there are four or more junctions in the array, the system exhibits chaotic behavior. Our results indicate that the theory of Chernikov and Schmidt is not exactly appropriate. 相似文献