利用飞秒脉冲光谱全息实现空域信息向时域信息的转换

在Mazurenko提出的时域超短脉冲光谱全息结构的基础上,提出了改进型的飞秒脉冲光谱全息结构,并推导了当输入脉冲光场中包含时、空分布时光谱全息的记录和再现。结果发现当在光谱全息记录和再现时,如果频谱面上添加空间滤波器,可以实现飞秒脉冲包含的空域信息向时域信息的转换。结论可以应用到超短脉冲整形,超高速光通信和光信息处理等领域。     

316L不锈钢在Saline溶液中的微动磨蚀行为研究

采用球－平面接触微动磨损试验设备考察了轧制固溶３１６Ｌ不锈钢在Ｓａｌｉｎｅ溶液中的微动磨蚀行为。研究表明,３１６Ｌ不锈钢的微动过程存在显著的阶段性;微动初期为磨合期,第一稳定阶段摩擦副处于高摩擦应力状态,伴随着不锈钢表面缝隙腐蚀与弹塑性损伤的积累;第二过渡阶段和第二稳定阶段不锈钢表面呈微断裂剥层特征,腐蚀引起的微断裂不可忽视,不锈钢微动损伤表面形貌同微动损伤速率之间存在对应关系。     

前处理和侵蚀对阴极箔比容的影响

碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随 Na OH浓度和 Na3PO4浓度的增大 ,侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加 ,侵蚀箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为 0 .85 mol/ L 时侵蚀箔比容达到极大值。侵蚀液温度过低和过高 ,侵蚀箔比容都低。温度为 90℃时侵蚀比容较高。通过试验得出了较好的前处理和侵蚀条件。     

表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响

改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。     

草酸预处理对辣椒叶片抗热性的影响

研究了 40℃热胁迫下辣椒叶片中膜透性、膜脂过氧化、抗坏血酸 (ascorbate,As A)和还原态谷胱甘肽(glutathione,GSH)含量以及过氧化物酶、草酸氧化酶活性的变化 .在热胁迫处理前 3d用草酸溶液 (p H6 .5 )喷洒叶片 .结果表明 :草酸预处理能减轻热胁迫对细胞膜的伤害 (以电解质渗漏表示 ) ,在一定程度上能抑制丙二醛(malondialdehyde,MDA)和 H2 O2 的产生 ;草酸预处理能使辣椒叶片在 40℃热处理下保持较高水平的 As A、GSH含量和过氧化物酶活性 (peroxidase,POD) ;在常温下 ,草酸预处理能诱导 POD活性 ,但是对草酸氧化酶活性没有影响 .这些结果提示 ,草酸预处理能增强辣椒叶片的内在抗热性 ,但与草酸氧化酶活性无关     

氧含量对Tl-1212薄膜超导特性的影响

通过在氩气中的低温热处理降低氧含量 ,可使富氧的Tl 12 12薄膜的超导电性明显得到提高 .富氧的Tl 12 12薄膜是在氧气中高温下生成的 ,超导转变温度Tc 一般为 80～ 90K .去氧处理后 ,当氧含量为最佳值时 ,Tc 可以升高到 10 0K ;临界电流密度Jc 也有显著提高 ,77K温度下Jc 最高可以达到 1.8× 10 6A/cm2 .伴随Tc 和Jc 的提高 ,薄膜的晶格常数和表面形貌也有相应变化 .     

高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO缓冲层以及Tl-2212超导薄膜长的影响

研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ.     

Discovery of High-Pressure Basic Granulite Terrain in North China Archaean Craton and Preliminary Study

High-pressure basic granulite terrain of 2.65 Ga from Jiouhuai'an in the junction of the Hebei and Shanxi provinces was discovered and reported recently. The three metamorphic mineral assemblages and their mineral reaction texture of the basic granulites have been identified, which represent three main metamorphic episodes of 1.4—1.5 Gpa, 800℃; 0.7—0.9 Gpa, 820℃ and 0.5—0.6 Gpa, 700℃. Their steep decompressional clockwise P-T path implies that a late Archaean continental collision and sole thrusting event perhaps occurred in North China Craton. This is important to study petrogenesis of high-pressure granulites, composition and texture of deep crust in North China Craton, and early Precambrian collision tectonism.     

S波段低温低噪声放大器的研制

介绍了基于ADS仿真的低噪声放大器的设计与制作方法;重点研究了LNA的直流偏置、稳定性分析、匹配设计、版图制作和调试;提出了源级负反馈和栅极加并联阻抗的方法来实现了电路全频段稳定和低温正常工作。采用ATF-34143制作了中心频率在2.25的低噪声放大器,在77K温度下,该放大器带内输入输出驻波比小于1.2,增益达到23dB,噪声系数为0.24dB。     

Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate

The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 （Tl-2212） superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω.