非对称陀螺自由基分子光谱的标识分析——NO2基振动态纯转动光谱分析

系统阐述了非对称陀螺分子光谱的标识分析工作涉及的一些关键理论问题,包括有效Hamilton量、表象和基矢、能级识别、跃迁选择规则、相对强度和Zeeman调制率等,并在有效Hamilton量中引入高阶离心畸变项,大大提高了计算精度,并使高转动量子数跃迁的标识分析成为可能.作为应用实例,对¹⁴N¹⁶O₂基振动态的零场和磁共振谱进行了统一分析(global analysis),获得了迄今为止最精确、最完整的¹⁴N¹⁶O₂基振动态分子结构参数,并对Curl和Brown等人过去未能标识的¹⁴N¹⁶O₂高转动量子数跃迁远红外激光磁共振谱线进行了成功标识.     

NMDA受体拮抗剂——盐酸美金刚胺的合成

以1,3-二甲基金刚烷为原料,无溶剂条件下一锅法完成卤代、Ritter反应,合成了1-乙酰胺基-3,5-二甲基金刚烷(3);3经水解、成盐、重结晶制得Ⅳ,甲基-D-天冬氨酸受体(NMDA)拮抗剂--盐酸美金刚胺,总收率71.9%,其结构经1H NMR,13C NMR,MS和元素分析表征.     

一种常温水相一步还原法制备Co/C复合材料的方法

本项目的目的与设计思路是制造一种用碳包裹金属钴粒子的复合材料,通过这种方法改变金属钴密度,以此来解决吸波涂料重量大的问题。同时,通过用碳材料来进行包裹,改变其介电性弱这一问题,提高了以单一金属作为主要组分的吸波材料的吸波性能。设计了一种反应温度在30℃～40℃之间的还原法制备钴碳复合材料工艺,改善了传统水热法合成钴碳复合材料能耗大的问题。     

硬盘播出系统在县级电视台的实现

硬盘自动播出逐渐取代传统的播出系统,县级电视台由于受各种因素的影响,还要保留部分的模拟信号,因此组建的硬盘播出系统既要最大化地实现数字化改造,又要为以后的全数字系统升级打下基础,还要保证硬盘播出系统的安全性、稳定性,为此比较详尽地介绍了临海市广播电视台硬盘播出系统的组成结构。     

无线接入系统的资源分配及实现

无线接入系统的资源分配在考虑传输带宽利用率的同时,还要兼顾业务的服务质量(QoS),另外,还与设备硬件有关,其中最主要的是存储器;不同的业务具有不同的特性,使得其接纳控制、队列调度只有和业务特性相对应时才能获得好的性能。并且接纳控制和分组调度存在相互影响的关系,调度不及时的队列占用了较多的存储容量,则当有新分组到达时可能由于存储空间不足而导致丢弃,所以分组调度部件要考虑队列优先级,还要考虑队列大小,以获得服务的公平性。     

JFFS2文件系统在μClinux中的实现

FLASH作为新型非易失性半导体存储器在嵌入式系统的开发中占有重要的地位.为了在嵌入式系统中实现数据的动态操作,介绍μClinux下的FLASH文件系统,特别是日志型文件系统的设计原理及特点;利用Linux提供的MTD接口,通过添加与FLASH对应的map driver和FLASH驱动,修改设备节点,配置内核等步骤,将JFFS2文件系统移植到s3c44bO使用的FLASH芯片上.通过挂载,用户可以像使用普通硬盘分区一样对此目录下面的文件进行操作,从而实现对FLASH的动态操作和管理.结果表明,在JFFS2文件系统下,保存的文件是可读写的,系统掉电后创建的文件也不会丢失.     

Quantum-Mechanical Study on Surrounding-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） scales into the nanometer regime, quantum mechanical effects are becoming more and more significant. In this work, a model for the surrounding-gate （SG） nMOSFET is developed. The SchrSdinger equation is solved analytically. Some of the solutions are verified via results obtained from simulations. It is found that the percentage of the electrons with lighter conductivity mass increases as the silicon body radius decreases, or as the gate voltage reduces, or as the temperature decreases. The eentroid of inversion-layer is driven away from the silicon-oxide interface towards the silicon body, therefore the carriers will suffer less scattering from the interface and the electrons effective mobility of the SG nMOSFETs will be enhanced.     

非对称绝对线性损失下正态总体的参数设计

田口玄一提出了很多损失函数,其中二次损失是应用最为广泛的一种。当实际损失函数不是二次损失函数而使用二次损失时,就会引起参数设计的不正确。在某些情况下,线性损失函数更适合工业应用。本文在非对称的线性损失下,讨论了参数设计的可行性,证明田口先生方法的稳健性设计和灵敏度设计依然行之有效。结果表明性能指标平均值必须稍微偏离目标值,才能使平均损失达到最小。