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制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS):N, N'-bis-(3-Naphthyl)-N, N'-biphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum(Alq3)/Mg:Ag的绿光双层有机电致发光器件(OLED).空穴传输层采用复合结构,为有机小分子空穴传输材料NPB与聚合物母体材料聚苯乙烯(PS)的掺杂体系,并利用旋涂工艺简化了薄膜制备.通过调节该体系的组分,制备出具有不同PS:NPB浓度比的OLED器件,并对器件的电致发光特性进行了表征.研究发现,不同的NPB掺杂浓度对复合空穴传输层以及器件的光电特性具有显著影响.当 PS和NPB的组分浓度比为1时,可以最大限度地优化该器件的性能.该项研究有助于OLED器件复合功能层的构建以及工艺方法的改进. 相似文献
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本文描述了屏蔽理论,介绍了目前市场上的主要屏蔽涂料,并列举了它们的各种性能。综合分析,Ag—Cu系涂料能得到更好的性价比。 相似文献
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<正> 在微电子组装技术(指高密度表面组装技术)中,芯片载体已经成了不可缺少的基础元件之一。早在1977年美国就制订了芯片载体的JEDEC标准(1),1980年又作了修订(7)。其他发达国家也相继应用了芯片载 相似文献
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二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的B空位处,3个N原子各自带一个在平面内的悬挂键及相应的未配对电子,而通过C替换可以消除未配对的电子.系统研究了(CN)3VB缺陷的几何结构、电子结构以及光学性质,结果表明,缺陷可以由一个对称的亚稳态经过原子结构弛豫变成1个非对称的、3个C原子连在一起的基态结构.缺陷的形成在hBN中引入了一些由缺陷悬挂σ键及重构的π键贡献的局域缺陷态.这些缺陷态可以导致能量阈值在2.58 eV附近的可见光内部跃迁.本文的工作有助于进一步理解hBN中点缺陷的构成及光学性质,为实验上探讨发光点缺陷的原子结构起源及其性质提供理论依据. 相似文献
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数字电视中心总编室编播网络系统 总被引:2,自引:2,他引:0
主要从统一节目代码管理、节目编排与备播、互联互通设计等方面着重阐述了数字电视中心总编室编播网络系统的设计思路。 相似文献
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40.
根据文(1)的思想对一类奇异摄动问题给出了高精度的任意不等距二点差分格式,在边界条件处理上对文(1)的算法作了改进,使算法不等距,在奇异点附近网格可任意加密并重点研究了离散方程组的计算方法。数值试验表明,本算法在处理奇异摄动问题时更灵活,更有效。 相似文献