结合PLS表示与随机梯度的目标优化跟踪

针对实际视觉跟踪中目标表观与前背景的非线性变化,论文提出一种基于偏最小二乘分析(PLS)表示与随机梯度的目标优化跟踪方法。该方法将目标跟踪转化为表示误差与分类损失的联合优化问题。首先,为了提高算法对前背景表观变化的稳定性,利用PLS理论的非线性对目标区域的前背景信息进行表达,并通过空间聚类构造多个线性外观模型来描述目标区域的动态变化,建立带约束条件的表观特征库;然后,提出一种确定性搜索机制,构造联合优化目标函数,使表示误差与分类损失最小化;结合表观建模特点,构建随机梯度分类器,对模型进行增量特征更新,最终实现对目标的稳定准确跟踪。经多场景对比实验验证,该算法能有效应对目标前背景的多种复杂变化。     

计算表面波特征方程的一种新的数值方法

推导了同轴线馈电的微带天线表面波电磁场表达式及其特征方程.结合遗传算法与参数跟踪策略形成一种新的算法,并基于该算法对表面波特征方程进行了精确数值求解,求解结果与本问题的已有结论吻合的很好.该方法具有简单、通用、求解精度高等优点.     

基于随机森林的无线信号弱覆盖识别率预测

为建立一种高效精准的无线信号传播模型,预测目标区域内无线信号覆盖强度,对各个特征与预测标签平均RSRP(参考信号接收功率)进行相关性分析.选取相关性程度较高的特征,使用决策树、极端随机提升树、随机森林等机器学习方法训练回归模型.实验结果表明,随机森林回归模型在无线信号覆盖强度预测上表现效果好,弱覆盖识别率准确度高,可以...     

磁光平面波导的单向传播特性

表面磁等离子体(surfacemagnetoplasmons,SMPs)是一种在电介质和偏置磁场作用下磁光材料界面处传播的近场电磁波.其独特的非互易传播特性引起了大量科研工作的关注,但在具体的波导结构设计上仍存在很多问题.本文研究了一种银-硅-磁光材料的3层平面波导结构,SMPs在磁光材料和硅的界面处传播,发现在特定的频率范围内,SMPs的基模及高阶模式均具有正向或反向的单向传播特性.分别计算了旋磁与旋电材料平面波导的色散方程,研究了硅层厚度与外加磁场对能带结构及SMPs单向传播区域的影响,发现无论是旋磁或旋电材料的结构,硅层厚度的增加使高阶模式使高阶模式出现在更低的频率位置,使单向传输带宽变小甚至消失,外加磁场的变大使磁光材料的能带结构频率增大的同时带隙中也引入了高阶模式.计算了2种磁光材料平面波导的正向和反向的单向传播带宽宽度,发现旋磁材料YIG的单向SMPs模式出现在GHz波段,最大单向带宽可达到2.45 GHz;旋电材料InSb的单向SMPs模式出现在THz波段,最大单向带宽达到3.9 THz.     

数字电视中心总编室编播网络系统

主要从统一节目代码管理、节目编排与备播、互联互通设计等方面着重阐述了数字电视中心总编室编播网络系统的设计思路。     

Passive Keyless Entry完全解决方案

PKE作为新一代防盗技术,不仅具有传统RKE的功能,而且还增加主动识别车主身份的智能,将逐步从高端车市进入中端车市,不仅奔驰、宝马等广泛使用,而且蒙迪欧、夭籁和马自达也相继采用该技术,就连本土车厂华晨、奇瑞等开始考虑配装该产品.     

衬底上石墨烯制备及改性研究

大面积高质量石墨烯的制备对石墨烯电子特性及石墨烯基纳器件相关研究有重要意义。本文综述了近几年来衬底上制备石墨烯的相关实验以及衬底与石墨烯相互作用研究的重要进展。目前,采用化学气相沉积、外延生长等方法可在衬底表面上制备出较大面积、高质量的石墨烯材料。衬底与石墨烯相互作用和界面间晶格匹配、原子成键及电荷转移等密切相关,其对吸附石墨烯的几何结构、能带结构及电子特性等产生明显影响。实验与理论计算的结合可望加深衬底与石墨烯作用机理的理解,指导衬底上石墨烯制备及改性的进一步研究。     

含二氯丙烯的亚硫酸酯类化合物的合成及杀虫活性测定

为了寻找和发现高效、广谱、低毒、低生态风险并与现有杀虫剂无交互抗性的新型杀虫剂,以对苯二酚为原料,经多步反应制得11个新型含二氯丙烯的亚硫酸酯类化合物,其结构经核磁共振氢谱、碳谱、元素分析确证.室内生物活性测定结果表明,目标化合物对小菜蛾(Plutella xylostella L.)具有较好的杀虫活性,其中3-[2,6-二氯-4-(3,3-二氯烯丙氧基)苯氧基]丙基正己基亚硫酸酯(7h)在10 mg/L下对小菜蛾的致死率可达到80%,优于对照药三氟甲吡醚.     

光刻技术:发展路径及未来趋势

光刻技术在半导体器件大规模生产中发挥重要作用.今天,多数先进半导体生产都已经应用ArF准分子激光浸润光刻技术.双重图像曝光和侧壁图像转移技术使ArF准分子激光浸润光刻技术延伸到32纳米半节距(HP)器件的制造成为可能.为了制造更小尺寸的器件,必须开发新的制造工艺.极端紫外线光刻是制造22纳米半节距甚至更小尺寸半导体器件的先进下一代光刻技术解决方案.另外,其他技术解决方案,如纳米压印光刻技术和无掩模直描光刻技术等也被考虑用于制造更小节点尺寸的器件,但是目前这些方案仅仅处在研发阶段,而且在现阶段就已经呈现出在大规模生产中的诸多困难.本文从材料的角度对光刻技术进行一个整体描述,并对光刻技术未来趋势进行讨论.     

3-苯基-1-丁炔-3-醇质谱碎裂中[C8H7]^+的结构及分子内质子迁移反应

报道了3-苯基-1-丁炔-3-醇的常规电子轰击质谱(EIMS)。利用碰撞诱导解离(CID)技术研究了质谱碎裂过程中产生的[C8H7]^+的气相离子结构。同时, 氘代同位素交换、亚稳(MI)和CID实验进一步证实了m/z 103离子的形成并不是分子离子的质谱碎裂中顺次失去甲基自由基和中性CO分子的直接氢迁移的协同反应, 而是在失去CO分子前后发生了二次质子迁移反应的逐步过程。在此基础上提出了一种独特的双分子质子键合复合物中间体的碎裂机理。