数字电视技术入门：七、前景广阔的高清晰度电视

随着人们欣赏水平的不断提高．对电视质量的要求也日趋提高，在这种现状的驱使下，上世纪70年代日本首先开始研制高清晰度电视(HDTV)，并在80年代初获得成功。消息传出，震动全球，欧美各国竞相开发，一时间HDTV热席卷全球。     

IPv6及其相关技术

美国由于是IPv4的发源地,因此无论在地址资源和商业应用方面都占据了先天的优势,因此目前既没有地址短缺的忧虑,又很不愿意改动花费大量资本构建的IPv4商业网络体系,所以目前主要是以世界IPv6研究、协调中心的面目出现,研究和开发IPv6的主要组织如IETF、6BONE等都在美国。但美国在IPv6的商业化推广方面的力度没有欧洲和日本大。最近,由于美国新经济发展受阻,需要寻找新的商机,加上北美对宽带     

加密芯片的设计与应用

本文介绍了几种常用密码体制及加密芯片的设计、应用，简要叙述了分组加密、公钥加密及椭园曲线加密系统的算法实现、性能分析及其在一些领域内的简单应用。     

类氖锗X光激光双程放大实验研究

本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps.     

自动化生产流水线及其承制过程

介绍了自动化生产线、市场及任务的承接过程等阶段，结合实践阐述了自动化生产线的设计步骤。并以摩托车总成装配线作为设计实例。     

用激光测振仪测量扬声器纸盆的振动特性

用激光外差测振装置测量了扬声器纸盆振动幅度与激励电压及激励频牢之间的关系。为扬声器结构及振动特性的研究提供了一种精度高、重复性好的可靠测量方法。     

一种高速浮点加法器的设计实现

浮点加法器是协处理器的核心运算部件，是实现浮点指令各种运算的基础，其设计优化是提高浮点运算速度和精度的关键途径。文章从浮点加法器算法和电路实现的角度给出设计方法，并且提出动态与静态结合设计进位链的方案以及前导O预测面积与速度的折衷方法。动态与静态结合设计进位链的方法有效地降低了功耗，提高了速度，改善了性能。目前已经嵌入协处理器的设计中，并且流片测试成功。     

像增强器亮度增益和等效背景照度测试仪的研制

亮度增益和等效背景照度是衡量像增强器性能的两个重要参数，针对这两个参数的测试要求，阐述像增强器亮度增益和等效背景的测试原理和测试仪的结构设计。利用研制的测试仪对多种型号的像增强器的亮度增益和等效背景照度进行了测试，给出并分析了测试结果。结果表明，本测试仪的结构设计是合理有效的。     

Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films

With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.