一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟

提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容.     

ULSI铜互连线技术中的电镀工艺

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法,成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明,所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ*cm,X射线衍射分析结果显示出的Cu（111）的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求．     

部分耗尽0.25μm SOI射频nMOSFET

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能.     

MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。     

RF集成电感的设计与寄生效应分析

分析了体硅 CMOS RF集成电路中电感的寄生效应 ,以及版图参数对电感品质因数 Q的影响 ,并通过Matlab程序模拟了在衬底电阻、金属条厚度、氧化层厚度改变时电感品质因数的变化 ,分析了不同应用频率时版图参数在寄生效应中所起的作用 ,得出了几条实用的设计原则并进行了实验验证 ,实验结果与模拟值符合得很好 ,表明此模拟方法与所得结论均可有效地用于指导射频 (RF)集成电路中集成电感的设计     

输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件

MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.     

截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT

报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器的跨导为600mS/mm，阈值电压为－1-2V，最大电流密度为500mA/mm，截止频率为120GHz.     

新的非平面Flash Memory结构

提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构.对于栅长为1.2μm flash单元,获得了在Vg＝15V,Vd＝5V条件下编程时间为42μs,在Vg＝-5V,Vs＝8V条件下的擦除时间为24ms的高性能flash单元,这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多.这种新结构flash单元在高速应用场合下具有很好的应用前景.     

深亚微米隔离技术--浅沟槽隔离工艺

研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离MOSFET的Kink效应和反窄宽度效应.     

深亚微米隔离技术--浅沟槽隔离工艺

研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离MOSFET的Kink效应和反窄宽度效应.