超导－半导场效应晶体管理论分析

分析了超导－半导场效应晶体管的工作原理，利用电阻分流模型对其性能进行了讨论，并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符合费米－狄拉克分布函数，并考虑了沟道载流子迁移率的变化。     

一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.     

基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法

随着栅氧化层厚度的不断减小,硼穿通问题变得越来越严重.特别是在表面沟道器件中,非常容易出现硼穿通现象.为了减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响,需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系.提出的双栅PMOSFET模型将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比,完成了硼穿通的判定.通过优化热氧化条件,采用N2O热处理,能够有效改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通问题.     

超导－半导场效应晶体管理论分析

分析了超导－半导场效应晶体管的工作原理，利用电阻分流模型对其性能进行了讨论，并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符合费米－狄拉克分布函数，并考虑了沟道载流子迁移率的变化。     

超导／半导兼容技术的理论研究

超导器件和电路因其具有超高速度、超低功耗、超低噪声和超高可靠性等卓越性能而受到越来越多的关注。     

高频npn Si1-yGey基区HBT的集电结势垒区模型

本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎ Ｓｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式,重点推导了集电区穿通时的垫垒区宽度的定量计算公式,在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后,得到了重要结论。同时,末文料给出了考虑应力及界面态密度后对模型的修正方法。     

YSZ—Si上溅射BSCCO超导薄膜的二次溅射效应

本文对溅射高温超导薄膜的过程中所产生的二次溅射效应（Ｒｅｓｐｕｔｔｅｒ－Ｅｆｆｅｃｔ）作了较系统的理论分析，观察敢ＹＳＺ－Ｓｉ衬底上磁控溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜时二次溅射效应所产生的影响，并通过采用偏轴溅射代替轴溅射而有效地缓解了该效应。     

硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析

重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计

介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。     

超高压SiGe HBT器件结构及制作工艺研究

介绍了一种超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构及制作工艺。该器件增大了N型赝埋层到有源区的距离,采用厚帽层锗硅基区及低浓度发射区的制作工艺,以提高SiGe HBT的击穿电压;在基区和发射区之间利用快速热处理提高工艺稳定性,并使HBT的电流增益(β)恢复到原来水平,以弥补厚帽层锗硅基区及低发射区浓度造成的电流增益降低。基区断开时,发射区到集电区的击穿电压(BVCEO)提高至10V,晶体管特征频率达到20GHz。