基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块

描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作.模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度.模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM...     

AlGaAs／GaAs毫米波HBT的研制

ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ毫米波ＨＢＴ的研制吴英，钱峰，陈新宇，邵凯，郑瑞英，肖秀红，葛亚芬，金龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＨＢＴ￥ＷｕＹｉｎｇ；ＱｉａｎＦｅｎｇ...     

单脒基铝络合物催化己内醋聚合及己内醋/丙交醋共聚

将单脒基铝络合物用于催化6-己内酯(e-CL)开环聚合反应,结果表明,该类铝络合物表现出很高的催化活性:25℃时络合物({PhC(N-2,6-iPr2C6H3)2)A1Me2](Cl)催化ε-CL聚合1h,单体转化率为91%;70℃时络合物[{PhC(N-2,6-iPr2C6H3)-(N-2,6-Me2C6H3)}Al...     

RoHS 2.0指令解析

通过比较欧盟RoHS 2.0指令与原指令的主要差异,分析企业需要履行的主要义务,以及应对RoHS 2.0指令的难点及重点,最后制定切实可行的应对措施。     

一种非平稳网络链路丢包率层析成像方法

现有网络链路参数估计方法大都假设网络链路状态在测量周期内是平稳的,不能获得网络链路参数的时变特征。该文提出了一种非平稳的网络链路丢包率层析成像方法。假定在一个相对较小的时窗内,丢包率随时间变化的曲线可用一个k阶可导的函数来描述;用网络层析成像的方法求得这些函数的k阶泰勒展开式;然后根据各时窗内的逼近结果,用反比距离加权估计整个测量周期内链路的时变丢包率。NS2仿真验证了该方法能有效追踪链路丢包率的变化,且优于现有的网络链路丢包率层析成像方法。     

欧盟RoHS指令回顾、执行现状及发展趋势探讨

欧盟RoHS(2002/95/EC)指令于2006年7月1日起,限制或禁止含有有毒有害物质的电子电气设备(EEE)进入欧盟市场。本文首先回顾RoHS实施两年来,欧盟相关国家RoHS执行情况及存在问题简单阐述RoHS的实施对整个国际环保以及电子行业的影响;最后展望未来RoHS研究动态和发展趋势。通过RoHS回顾说明及展望,将有助于企业提高RoHS的应对能力。     

单通道8bit1.4GS/s折叠内插ADC

基于0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC.芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准.测试结果表明,ADC在1.4GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW.文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出...     

级联型单级分布式宽带单片功率放大器

报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。     

1997年GaAs制造技术国际会议简介

国际GSAS制造技术1997年年会于6月2日至5日在美国海滨城市旧金山举行。会议由大会报告、专题讨论会、分组报告、小组讨论会、论文交流、产品展示会等组成。内容涉及GaAs材料生长、制作工艺、GaAs器件、GaAsMMIC、器件模型及可靠性等。参加会议代表百余人，主要来自美国及日本。GaAs制造技术专题讨论会在6月2A进行，内容包括：GaAs集成电路设计入门、提高成品率、集成电路中的静电防护（ESD）、高频封装技术等。次日进行大会报告：（l）RF微波器件公司介绍HBT射频集成电路在无线通信中的应用。报告指出，GaAsHBT的产品正迅速在…