基于自由曲面的产生五向准直光束的元件

为了实现光束沿多向准直出射的要求,提出了基于自由曲面的光学器件设计方法。该光学器件是四个侧面为自由曲面、上表面为准直透镜的空心梯形台。基于微分几何理论和折射定律,建立梯形台侧面轮廓曲线上的点所满足的方程,结合Matlab软件数值计算出自由曲面轮廓曲线的离散数据点,将数据点导入Solidworks中进行曲线拟合并建模,进而得到梯形台侧面的实体模型;运用CodeⅤ软件设计出上表面准直透镜。将自由曲面面型数据和准直透镜数据导入到Lighttools软件中进行了仿真模拟,结果表明,该光学器件可实现光线五向准直出射。     

雷达终端中的字符显示技术

本文介绍了单片计算机技术在雷达终端显示中的应用,概述了点阵式字符显示的基本原理、硬件结构和软件框图,对性能指标的数据进行了分析,在软件方面突出介绍了点阵字符库处理的子程序。     

侧钻水平井轨道设计模型、算法及应用

本针对三维水平井轨道优化设计问题，建立了以非线性常微分方程为主要约束条件的最优控制模型。以均匀设计方法选初始点，并依此把允许区域分解为有限多个子域，在每个子域上构造了改进的Hooke-Jeeves优化算法，将它用于多口水平井的实际生产中，表明了本给出的模型、算法及软件的正确性与有效性。     

钢筋混凝土结构破坏过程的近场动力学模拟

采用近场动力学(Peridynamics,PD)方法对钢筋混凝土结构破坏过程进行模拟,在"键"型近场动力学模型的基础上,考虑物质点对间的转动以突破泊松比的限制,采用能够描述混凝土材料的拉压异性和断裂特征的损伤模型,引入动态松弛、分级加载、平衡收敛准则和冲击接触等算法,建立了能准确描述钢筋混凝土结构破坏的近场动力学模型....     

GNS430W通信导航收发机故障分析及排除方法研究

文章对GNS430W通信导航接收机的主要故障及排故方法进行了研究,该型设备集通信和导航两大功能于一体,通过对其基本原理和故障统计数据进行分析,将该型机件分模块进行几种典型故障分析,通过故障隔离的方法将维修故障分离到相应模块,再在相应子模块的基础上通过电路原理分析,找出故障电子元器件,为该型机载设备的排故及修理提供便利。     

含钼涂层钨材料在氦等离子体作用下的前期表面形貌演变研究

为了研究纳米绒毛的生成过程及内在的物理机制,采用磁控溅射镀膜的方式在钨片上镀有钼涂层(Mo-W)。借助微观结构观察的手段分析了钨、钼块材以及钨-钼(Mo-W)样品在773K、1073K氦等离子体作用条件下的表面形貌演变过程。结果表明:钨、钼以及钨-钼(Mo-W)样品在氦等离子体作用下表面形貌演变规律基本一致;纳米绒毛及其珊瑚状前驱体是在尺寸相对较大的锥状结构上演化而来的。     

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．     

SiGe-HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响

本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6H SiC JEFT性能(包括亚阈区)的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述.该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出电导、温度决定的模型参数等效应.载流子的计算考虑了SiC中杂质能级特点，采用两级电离模型，模拟了典型结构器件的高温特性，结果和实验符合很好.     

1mm SiC多指栅微波功率器件

研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.     

1mm SiC多指栅微波功率器件

研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件. 通过对SiC关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的工艺流程，并且制作出单栅宽100μm，总栅宽1mm，栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET，其微波特性测试结果为：在2GHz, Vds＝30V时，最大输出功率为1.14W，相应增益为4.58dB，功率附加效率为19%，漏极效率为28.7%.