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122.
研究一类带时滞的分数阶泛函微分方程边值问题.首先将所研究的问题转化为积分方程形式,运用非线性分析理论证明了边值问题解的存在性与唯一性定理,产生了求边值问题解的单调迭代序列,并进行了误差估计.其次运用广义单调迭代技术和耦合上下解方法,获得了边值问题解存在唯一的充分条件,并确定了解的取值范围.最后给出几个具体实例,用于说明所得到的结论具有较广泛的适应性. 相似文献
123.
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125.
126.
127.
设计、合成了36个新型哌嗪并[2,1-a]异喹啉类化合物,并测试了其体外抗真菌活性.结果表明所有化合物对5种临床致病真菌都有抗真菌活性.其中化合物5h,5j~5l,6g~6k和6l对除白念菌外的4种测试菌的抗真菌活性强于或相当于对照药氟康唑;特别是大多数目标化合物对于氟康唑无效的薰烟曲霉菌显示出较好抗真菌活性.对接研究显示所设计的目标化合物与靶酶活性腔中氨基酸功能残基结合.结果表明新型哌嗪并[2,1-a]异喹啉类化合物是一类全新结构类型的抗真菌化合物,为抗真菌药物研究提供了新的结构类型. 相似文献
128.
本文验证了F-N应力导致的SOI n- MOSFET器件性能退化与栅控二极管的产生-复合(G-R)电流的对应关系。F-N应力导致的界面态增加会导致SOI-MOSFET结构的栅控二极管的产生-复合(G-R)电流增大,以及MOSFET饱和漏端电流,亚阈斜率等器件特性退化。通过一系列的SOI-MOSFET栅控二极管和直流特性测试,实验观察到饱和漏端电流的线性退化和阈值电压的线性增加,亚阈摆幅的类线性上升以及相应的跨导退化。理论和实验证明栅控二极管是一种很有效的监控SOI-MOSFET退化的方法。 相似文献
129.
A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate (SRG) MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson's equation and Pao-Sah's dual integral without the charge-sheet approximation, allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fitting-parameters, and verified by the 3-D numerical simulation. 相似文献
130.
随着DSP芯片的功能越来越多,围绕数字信号处理技术和智能化现代光学技术,设计了一款基于高性能DSP芯片的同步可调式双筒望远数码相机.结合高性能DSP芯片数字图像信号处理技术,对数码望远成像系统进行了分析、研究与设计,最终实现对实时远距离图像信息的获取、存储、转换和数字图像的传输与显示. 相似文献