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采用RF磁控溅射法在12．7cm的PZT／Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备了PZFNT薄膜，后处理采用快速退火工艺，对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明，采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响，可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度，提高其介电和铁电性能。在优化工艺条件下，可获得介电常数和损耗分别为1328和3.1％，剩余极化和矫顽场分别为29．8℃／cm^2和46kV／cm的铁电薄膜，该薄膜可望在铁电存储器和热释电红外探测器中得到应用。 相似文献
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Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料 总被引：1，自引：0，他引：1
采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率，同时具有良好的ＰＴＣ效应 相似文献