热压成型温度对PTFE/SiO2复合材料性能的影响

采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率Kc则先增高后降低。热压温度为370℃时,复合材料性能较好(εr=2.90,tanδ=0.001 1,A=0.58‰,Kc=0.566W/(m·℃))。     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

工艺条件对高纯氧化铍陶瓷金属化性能的影响

以W为原料,MnO、Al2O3和SiO2为活化剂,采用烧结金属粉末法,于1450～1500℃的还原性气氛(氨分解气)中烧结,在99BeO(纯度大于99%的BeO)陶瓷基板表面形成了W金属层,研究了活化剂含量、金属化膜厚度以及99BeO陶瓷晶粒大小对其金属化性能的影响。结果表明:当添加的活化剂质量分数为20%,金属化膜厚度约为35μm,BeO陶瓷晶粒大小约为39μm时,99BeO陶瓷金属化层的抗拉强度达到最大值65MPa。     

电子封装用环氧树脂基复合材料的优化

研究了593固化剂不同用量加入电子封装用环氧树脂E-51中的效果,以及在E-51,Al2O3复合材料中硅烷偶联剂不同用量的效果,结果显示:593固化剂与环氧树脂质量比为1:4时,复合材料的致密度高,气孔少,成型效果好;当硅烷偶联剂KH-560质量分数为8%时,复合材料的热导率达到0.75 W/(m·K).     

碳添加剂对AlN陶瓷结构与性能的影响

研究了不同引入方式的碳添加剂(内部加碳、外部加碳、内外部同时加碳)对AlN陶瓷结构与性能的影响.研究结果表明,与无碳参与时的AlN陶瓷烧结相比,内部加碳使AlN陶瓷晶粒较细小、均匀;外部加碳基本不会改变AlN陶瓷晶粒尺寸大小,但会与表面钇铝酸盐第二相发生碳热还原反应,促进坯体内第二相的排除;内外同时加碳,一方面可使AlN陶瓷晶粒均匀生长,另一方面有助于AlN陶瓷中的第二相排除,从而可获得晶粒结晶性好,晶粒与晶粒结合紧密,热导率高的AlN陶瓷.     

高纯高导热BeO陶瓷材料助烧剂的研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了高纯高导热BeO陶瓷用MgO-Al2O3-SiO2系粉体助烧剂,并利用DSC和扫描电镜(SEM)对粉体助烧剂的热性能、形貌及其助烧效果进行了系统研究。研究结果表明,采用优化后的工艺,可制备出颗粒细小,熔点约1 370℃的MgO-Al2O3-SiO2系粉体。利用该粉体,在1 550℃左右空气中烧结出密度不小于2.93 g/cm3,热导率大于280 W/(m.K),抗折强度大于200 MPa的高性能高纯99BeO陶瓷材料。     

(ZnxMg1-x)TiO3微波介电性能及其TiO2掺杂研究

调节不同的r(Zn/Mg)值,用普通固相合成法制备了(ZnxMg1-x)TiO3(x=0.1~0.5(摩尔比)微波陶瓷基料,研究了r(Zn/Mg)及预烧温度对其微波和烧结性能的影响,并通过TiO2和CaSiO3玻璃掺杂改善了(ZnxMg1-x)TiO3基料的微波性能,最终获得了可在1 170℃烧成的相对介电常数rε=26~28,品质因数与频率之积Q.f>70 000(10 GHz),谐振频率温度系数τf<±10×10-6/°C的微波陶瓷。     

高性能95BeO陶瓷材料的研究

利用95BeO粉体为原料,添加适当的Mg-Al-Si氧化物助烧剂,利用改进后的电子陶瓷工艺在空气中适当的温度进行烧结出了结构均匀、致密,性能满足目前GB/T5593国标的99BeO陶瓷材料.     

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。