延边地区65～108岁健康老人头发中锌、铜、铁、锰、镁的含量

用原子吸收光谱法测定延边地区317名65～108岁老人头发中锌、铜、铁、锰、镁含量，观察不同民族、性别、年龄老人这些元素的差异。结果表明：1.朝鲜旗发锌低于汉族，满族发铜低于汉族、朝鲜族，汉族发镁高于朝鲜族、满族，发铁、发锰在汉、朝、满民族之间无区别。2．汉族、朝鲜族男发锌高于女性，汉族女性发铜高于男性，发铁、发锰、发镁在性别之间无区别。3、90岁组朝鲜族发锰、发镁低于65岁、76岁组，朝鲜族发锌、发铜、发铁在65～108岁之间无统计学意义。     

振动噪声等高图的电驱动桥噪声预测及优化*

在项目开发前期通过优化电驱动桥扭矩特性的设计,可以规避噪声大问题。根据电驱动桥台架在对应扭矩下的振动噪声特性,提出了一套稳定高效的测试流程和分析方法。首先设计了一套完整的试验流程,制定了精准的数据分析方法。然后绘制出能够全面反映电驱动桥振动噪声特性的等高图。最后利用电驱动桥台架的振动噪声等高图,准确评估电驱动桥加速工况下振动噪声风险,为主机厂和电驱动桥零部件企业提供电驱动桥扭矩特性设计前期指导。利用该方法成功识别到某电驱动桥匀速及加速工况下电机及齿轮的啸叫问题。通过优化电驱动桥扭矩特性设计,电机48阶噪声峰值降低了8.5dB(A),确认该方法准确可靠,具备推广应用价值。     

PCB智能制造全流程追溯研究

PCB的全流程追溯系统是工业4.0的一种催生产物,是由信息化技术促进产生的品质监控和过程追溯系统,其核心在于MES与设备的交互以及设备对物料标识码的识别校验功能。通过系统可以从任意节点查询上下流程数据记录并找到相关联信息,实现PCB全流程追溯。文章主要阐述MES与设备的交互,设备识别物料标识码后进行记录、校验和追溯的原理及过程。     

快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计

基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路.一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性.PMOS串联开关用于将信号传输到下一级.仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41 V,建立时间为0.85 μs.     

一种非谐振式MEMS电磁能量收集器

介绍了一种新型非谐振式微电子机械系统(MEMS)电磁振动能量采集器的设计、微加工和表征测试.该能量收集器由MEMS结构、线圈、小型化NdFeB磁体和陶瓷基板组成.建立结构模型对结构固有频率、位移和应力进行仿真.利用MEMS技术制备能量收集器结构和Al线圈等关键部件,并结合嵌有永磁体的陶瓷基板进行组装,在组装过程中使用C...     

电子束曝光机工作台吊装结构动态特性的研究

正在研制的激光定位吊装结构工作台系统是电子束曝光机的主要组成部分。本文概述了工作台吊装结构的特点,用有限元法建立了吊装结构的三维实体力学模型,在理论上对其进行了动态特性分析与计算,并用锤击法进行了测试。分析与实验表明,工作台吊装结构抗冲击能力很强,能够满足电子束曝光机高精度和高速度的要求。     

10Gbit／sX4小型可插拔并行光收发模块的研制

研制了一款基于系统级封装技术的低成本、收发一体和可带电热插拔的4通道小型可插拔（QSFP）光模块,采用850nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列及其驱动器作为发射端,光电探测器（PD）阵列及其跨阻放大器（TIA）作为接收端,通过光路无源对准,实现了低成本光互连。高速度、高密度封装下的瞬态同步开关噪声、芯片间电磁干扰...     

新型高功率微波模式转换天线研究

给出了一种新型高功率微波模式转换天线,该天线将同轴插板式模式转换器和一种新型喇叭有机结合,可直接辐射高功率微波源输出的同轴TEM模或TM01模,具有结构尺寸小、口径效率高、轴向辐射、容易实现等优点.优化设计了一个中心频率为3.8GHz的天线,长度约300mm、口径为280mm,在中心频率上增益为19dBi、反射损耗为-20dB,在3.7～ 4.1GHz的频率范围内增益大于18.7dBi、反射损耗小于-15dB.     

采用PLL技术的合成频率源设计

介绍分频锁相频率合成技术.通过对锁相环工作过程及相位噪声等的基本原理的分析,采用PLL技术成功设计了1.8 GHz锁相频率源.在该锁相源中分频鉴相器采用ADI公司的ADF4118,VCO采用M/A-COM公司的ML081100-01850,低通环路采用三阶RC低通滤波器.其相位噪声为-75dBc/kHz、杂散抑制为-85dBc.实验测试获得了较好的技术指标,能满足现代移动通信C网和G网射频子系统对本振源的要求.     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.