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21.
本文介绍了一种新型的符合XGA标准的GUI加速卡,本卡主要采用AGX015芯片实现用户图形界面加速功能,文中详述了该卡的硬件线路和加速原理,并探讨了AGA GUI加速卡的编程及使用。 相似文献
22.
本文介绍了按序列对角线分布混沌的概念.运用Kuratowski-Mycielski定理,证明了对角线传递系统有稠密的Mycielski按序列对角线分布混沌集. 相似文献
23.
利用ns级InGaAs/InP PIN光电二极管和20MHz虚拟数字示波器测量了氙灯和Nd:YAG激光器在氙灯泵浦下发出的光脉冲波形.比较测得的波形,可以得出结论,每一个激光脉冲均呈现出典型的弛豫振荡过程,与理论分析基本一致[1].与模拟示波器对比,虚拟数字示波器的分辨率高,读数准确,波形可存储,且信息处理方便. 相似文献
24.
25.
张茂兴孟萃徐志谦吴平钟媚青冯博伦 《安全与电磁兼容》2022,(3):25-29
为建立线缆系统电磁脉冲只有X射线的理想实验辐照环境,提出了一种针对同轴线缆的线缆系统电磁脉冲实验中的抗干扰设计。通过在实验同轴线缆外部套一层管状金属屏蔽,有效降低外界电磁辐射干扰,同时降低屏蔽本身发射电子对实验线缆产生的耦合,最终根据测到的信号反推出真实的系统电磁脉冲(SGEMP)响应。仿真计算与辐照实验验证了抗干扰设计的可行性。对实验线缆的仿真所得电压时域波形与实验结果基本一致,在误差范围内,可以认为仿真结果与实验结果基本吻合。 相似文献
26.
Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
27.
28.
利用有限元方法求解:S-参数矩阵,研究了过模慢波结构对圆波导TM01,TM02模的反射特性,分析了在慢波结构末端加入谐振腔后,由于两端口的不对称性而造成的对反射特性影响。结果表明,在TM01的π模频率附近,慢波结构和谐振腔组成的系统对无谐振腔一侧端口入射TM01模的反射增大,而对有谐振腔一侧端口入射TM01模的反射减小。根据计算结果,解释了普通多波切伦柯夫振荡器所用慢波结构周期数较多的原因,说明了在多波切伦柯夫振荡器中引入谐振腔后,不但可以减少所用慢波结构周期数,而且有利于提高微波输出效率。 相似文献
29.
运用物理光学分析方法,对使用7单元的扇形喇叭一维阵列和角锥喇叭或圆锥喇叭三角形阵列喇叭束作为单偏置抛物面天线的馈源,空间合成高功率微波进行了比较研究,数值分析表明在阵元输入功率、口面最大场强、天线口径、净空间及天线边缘照度相同,且阵列馈源具有准轴对称主瓣条件下,扇形喇叭构成的一维阵列馈源与单偏置抛物面组成的天线系统的方向性系数和溢出效率优于采用角锥喇叭三角形阵列馈源或圆锥喇叭三角形阵列馈源的天线系统。若将喇叭束直接作为辐射天线使用,由于圆锥喇叭三角形阵列方向性系数对阵元间相位波动的稳定性较好,而更具优势。 相似文献
30.
用波导本征模展开方法对用于高功率微波发射系统的方角锥高斯馈源口面场进行分析,提出结合馈源远场辐射特性和避免高功率击穿折衷选定相应的高斯模注腰半径,进而确定多个波导模幅值,从而为运用模匹配或耦合波理论设计高斯馈源提供依据。 相似文献