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91.
外加电场和磁场对太赫兹辐射产生的影响 总被引：6，自引：6，他引：6
通过对半导体太赫兹发射极在有和没有外加电场和磁场作用下发射光谱的测量。说明了外加电场和磁场对太赫兹电磁辐射的产生具有增强作用。采用反射式发射极在飞秒激光作用下辐射太赫兹脉冲的装置，同时利用电光取样方法探测太赫兹电场，得到了这些发射极的时域发射光谱，并通过快速傅里叶变换(FFT)得到了相应的频域光谱。实验表明，太赫兹时域发射光谱和频谱在外加电场、磁场作用下都有增强，但是所发射的频率成分和带宽都没有改变。借助于经典电磁理论的定性分析，认为太赫兹发射光谱在外加电场、磁场作用下的增强起源于半导体中载流子的加速运动受外加电场和磁场的影响。 相似文献
92.
采用分解无定形柠檬酸和乙二胺四乙酸聚合体法,合成了具有类钙钛矿型结构的LaSrMO4(M=Mn,Fe,Co,N i,Cu)催化材料,以己烷完全氧化为探针反应,运用XRD、BET、TPR、TPD、FT-IR、XPS等手段进行表征.结果表明:对己烷完全氧化性能的顺序为LaSrCoO4>LaSrN iO4>LaSrCuO4>LaSrFeO4>LaSrMnO4,且氧空穴和可移动晶格氧越多、比表面积越大及颗粒度越小,均有利于提高己烷完全氧化活性. 相似文献