PEDOT修饰对Ag/P3HT/ITO样品载流子注入特性的改善

通过分析Ag/P3HT/ITO结构样品的载流子注入特性,研究了PEDOT(3,4-Ethylene-dioxythiophene thiophene)的界面修饰对样品薄膜注入特性的影响,其中,P3HT(Poly(3-hexyl-thiophene))薄膜采用旋涂法制备,P3HT溶液浓度为30mg/ml(氯仿为溶剂)。测试结果表明:1)P3HT的退火温度对其本身性能影响很大,退火温度越高,导电性能越差,在373K时,性能达到最佳,单位面积电流可达0.092A/cm2;2)PEDOT的界面修饰作用使Ag与P3HT功函数不匹配的问题得到明显改善。实验结果与理论分析基本吻合,样品注入特性改善比在1.15～1.30之间。同样的样品在退火温度为373K时性能达到最佳,单位面积电流可达0.106A/cm2。     

基于FPGA的图像卷积IP核的设计与实现

提出了一种基于FPGA的卷积运算IP核的设计方法.充分利用FPGA的并行体系架构和丰富的块存储资源采用规则的模块化的设计方法并兼顾可扩展的原则完成了二维图像卷积IP核的设计,实现了实时图像卷积运算中卷积窗口大小和卷积系数的灵活调整.这种新的卷积IP核在充分节约硬件资源的前提下很好地满足了实际的应用,使得卷积运算在图像处理应用中更加灵活方便.     

PMOS辐照检测传感器总剂量效应模型研究

根据PMOS辐照检测传感器在辐照时所产生的氧化层电荷(Qot)的两个不同模型,模拟计算了不同剂量条件下的亚阈值特性。结果表明,在满足一阶动力学方程下建立的Qot模型与实验结果较为吻合,并适用于更大范围的辐照剂量。此外,还讨论和计算了栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度等参数对PMOS辐照检测传感器特性的影响。结果表明,栅氧化层厚度是影响阈值电压漂移量的主要因素。     

高速低功耗钟控比较器的设计

在分析各种比较器的基础上,设计了一种高速低功耗的钟控比较器,着重优化了比较器的速度和功耗.在SMIC 0.35μm n阱CMOS工艺条件下,采用Cadence Spectre对电路进行了模拟.结果表明,比较器的最高工作频率为200 MHz,精度为0.3 mV,在3.3 V的电源电压下,功耗仅为0.4 mW.     

低功耗能量回收时钟发生器和触发器的设计

在深入研究能量回收和门控时钟技术的基础上,提出了能量回收时钟发生器和触发器的新型设计方案.该方案在SMIC0.35 μm CMOS标准工艺下,利用Spectre软件进行仿真.仿真结果表明,采用能量回收技术后,新型结构的功耗比传统结构下降约42%;采用门控时钟技术后,新型结构的功耗比传统结构下降约65%.     

异质栅单Halo沟道SOI中隐埋层对器件特性的影响

研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应会引起更明显的SCE及DIBL效应.在考虑隐埋层二维效应的基础上,提出了一个新的二维阈值电压模型,能较好地吻合二维器件数值模拟软件Medici的仿真结果.     

LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响

基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响.计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07 μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的峰值分布区域向着栅电极的方向移动,即在应力作用下,热载流子退化的区域向着栅电极的方向漂移.     

非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型

在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.     

喷墨印刷制备有机薄膜晶体管及其电路的研究进展

有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景。喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法。文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题。