Spectroscopy and scattering matrices with nitrogen atom: Rydberg states and optical oscillator strengths

The scattering matrices of ${rm e}+ {rm N}^{+}$ with $J^pi=1.5^{+}$ in discrete energy regions are calculated using the eigenchannel R-matrix method. We obtain good parameters of multichannel quantum defect theory (MQDT) that vary smoothly as the function of the energy resulting from the analytical continuation property of the scattering matrices. By employing the MQDT, all discrete energy levels for N could be calculated accurately without missing anyone. The MQDT parameters (i.e., scattering matrices) can be calibrated with the available precise spectroscopy values. In this work, the optical oscillator strengths for the transition between the ground state and Rydberg series are obtained, which provide rich data for the diagnostic analysis of plasma.     

线性掺杂缓冲层结构VDMOSFET抗单粒子烧毁的仿真研究

通过引入缓冲层可以提高器件的二次击穿电压,进而提高器件发生单粒子烧毁的阈值电压。本文提出采用线性掺杂缓冲层结构。通过准静态雪崩仿真和重离子入射仿真发现,优化线性缓冲层是必要的,对于固定厚度的缓冲层,具有线性掺杂缓冲层结构的器件发生单粒子烧毁时的内部电场强度明显小于优化后的恒定掺杂缓冲层结构的器件。二次击穿电压与寄生晶体管的开启电流明显比具有优化后的恒定掺杂缓冲层结构的器件高。因此,线性掺杂缓冲层结构的器件在抗单粒子烧毁方面更有优势。     

IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。     

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。     

宽视角多色等离子体显示

富士通有限公司研制的用于室外的30英寸多色等离子体显示板具有自然的色彩、极好的亮度及宽视角。这种产品两年内将投放市场。该公司称,此产品易于生产大尺寸板,此种具有640×480象素的30英寸板提供了15000小时的使用寿命。该公司目前正以定制的方     

1670万种色彩的15英寸TFT液晶显示

松下电气工业公司研制的能显示1670万种色彩的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)有源矩阵液晶显示是采用1152×900象素结构,显示面积为15英寸对角线。该公司将于1992年夏季将该显示板装入计算机工作站。这是首批获得3百万象素分辨率全色具有1670万种色彩的显示产品之一。它采用1152×900×3红、绿、蓝垂直条形彩色滤色器,显示板含     

NEC推出增强亮度的荧光显示器

NEC 公司制成用于汽车平视显示的具有10000lm/cm~2亮度的荧光显示器,该管比传统显示管的亮度高60%。为了获得与10000lm/cm~2亮度相同电能的有效光发射,该公司改进了荧光屏的表面工艺,并且通过改进热离子发射材料完善灯丝,使之获得了高密度电子。     

爱普生：有特色才能吸引消费者

影音市场总体来说肯定是非常光明的，它将与家庭数码影音中心的趋势结合起来，拥有广阔的前景，但是影音市场到目前为止从来都不是整合的单一的市场。包括hifi市场、家庭影院市场、以计算机为中心的数码影音中心。     

电力系统用高电压快速恢复二极管坚固性优化北大核心

高压快恢复二极管芯片过渡区是反向恢复坚固性的薄弱点,一旦失效将影响电力装置稳定运行。提出了一种高阻型过渡区优化结构,通过建立三种模拟模型,研究了过渡区宽度和掺杂浓度对快恢复二极管反向恢复性能的影响。采用高阻型过渡区结构的快恢复二极管反向恢复安全工作区仿真极限值提高到电压为2900 V、电流为630 A、电流变化率为1600 A/μs。基于该设计制备的3300 V/1500 A FRD器件可通过电压为3200 V、电流为3000 A、电流变化率为8648 A/μs条件下的反向恢复测试,显著提高了FRD器件的反向恢复坚固性。     

Effect of trapped charge accumulation on the retention of charge trapping memory

The accumulation process of trapped charges in a TANOS cell during P/E cycling is investigated via numerical simulation.The recombination process between trapped charges is an important issue on the retention of charge trapping memory.Our results show that accumulated trapped holes during P/E cycling can have an influence on retention,and the recombination mechanism between trapped charges should be taken into account when evaluating the retention capability of TANOS.